Тиристорная структура

Cтраница 2

В связи с таким представлением крайние области тиристорной структуры называют эмиттерами ( п и р), примыкающие к ним р-п-переходы - эмиттерными, центральный переход - коллекторным. Электрод, обеспечивающий контакт с n - эмиттером, называют катодом, с р-эмиттером - анодом. [16]

Для повышения эффективности охлаждения кремниевой пластинки с тиристорной структурой в последнее время применяют конструкции тиристоров таблеточного типа. [17]

Конструкция мощно - го тиристора.| Конструкция тиристора таблеточного типа, рассчитанного на допустимый анодный ток 300 А. [18]

Для повышения эффективности охлаждения кремниевой пластинки с тиристорной структурой применяют конструкции тиристоров таблеточного типа. Такие конструкции изготавливают с металлическими корпусами и стеклянными проходными изоляторами или с керамическими корпусами и изоляторами из заполимеризован-ных эпоксидных компаундов, или с металлокерамическими корпусами. [19]

В симисторе или триаке ( рис. 2.8) имеются две встречно-параллельные тиристорные структуры, вольт-амперная характеристика такого прибора показана на рис. 2.9. Так как управляющий электрод соединен с р-базой и расположенной рядом с ним я-зоной, симистор может быть включен как положительным, так и отрицательным управляющим импульсом при положительном или отрицательном напряжении на главных электродах. Требуемый импульс тока управления зависит от его полярности и полярности напряжения на главных электродах. [20]

Инжекция электронов из этих частей эмиттерного перехода поддерживает соответствующую часть тиристорной структуры в открытом состоянии. Стремление же еще больше увеличить ток управления путем увеличения соответствующего напряжения на управляющем электроде относительно эмиттера может привести к пробою эмиттерного перехода, так как он имеет обычно малое пробивное напряжение из-за большой концентрации примесей с обеих сторон этого перехода. [21]

Инжекция электронов из этих частей эмиттерного перехода поддерживает соответствующую часть тиристорной структуры в открытом состоянии. Стремление же еще больше увеличить ток управляющего электрода путем увеличения напряжения на этом электроде может привести к лавинному пробою эмиттерного перехода ( в нижней его части по рис. 5.11), так как этот переход имеет обычно малое пробивное напряжение из-за большой концентрации примесей с обеих сторон перехода. [22]

Этот эффект может иметь место только в транзисторах, составляющих тиристорную структуру, поскольку в этом случае линии токов носителей обоих знаков совпадают. Эффект бывает заметным в транзисторах с широкой базой. [23]

Структуры пленарных тиристоров. [24]

Основным из них является упрощение технологического процесса изготовления интегральной схемы с тиристорными структурами при выборе способа изоляции отдельных элементов. Изолирующий p - n - переход, создаваемый путем тройной диффузии, исключает необходимость в изолирующих окисных пленках между отдельными структурными элементами интегральной схемы. [25]

У некоторых тиристоров первоначальным процессом, приводящим к увеличению суммарного коэффициента передачи тиристорной структуры и к переключению тиристора в открытое состояние, является лавинное умножение носителей заряда в сильном электрическом поле коллекторного перехода. Напряжение включения таких тиристоров увеличивается при увеличении температуры, так как при этом уменьшается длина свободного пробега носителей заряда. [26]

Баллон корпуса со стеклянным проходным изолятором с помощью завальцованного шва герметически изолирует кремниевую пластинку с тиристорной структурой от воздействия окружающей среды. Через стеклянный изолятор проходят выводы управляющего электрода и одного из силовых электродов. Вторым силовым выводом является основание корпуса прибора. [27]

Бороться с этим явлением можно двумя способами: 1) управляющий электрод делают распределенным по всей площади тиристорной структуры; 2) ограничивают скорость нарастания прямого тока путем соответствующих схемных решений, например включая последовательно с тиристором небольшую индуктивность. [28]

Во время процесса включения триодного тиристора с помощью тока управляющего электрода сначала в открытое состояние переходит только часть тиристорной структуры, расположенной непосредственно около управляющего электрода. Со временем открытое состояние распространяется на всю площадь структуры. Ясно, что при высокой скорости нарастания тока может произойти локальный разогрев структуры до температуры, превышающей максимально допустимую. Максимально допустимая скорость нарастания тока в открытом состоянии тиристора dI0np / dt max, при которой обеспечивается заданная надежность, может быть повышена в тиристорах с распределенным по всей площади управляющим электродом. [29]

Во время процесса включения триодного тиристора с помощью тока управляющего электрода сначала в открытое состояние переходит только часть тиристорной структуры, расположенной непосредственно около управляющего электрода. Со временем открытое состояние распространяется на всю площадь структуры. Ясно, что при высокой скорости нарастания тока может произойти локальный разогрев структуры до температуры, превышающей максимально допустимую. Максимально допустимая скорость нарастания тока в открытом состоянии тиристора dlonp / dt max, при которой обеспечивается заданная надежность, может быть повышена в тиристорах с распределенным по всей площади управляющим электродом. [30]

Страницы: 1 2 3 4