Схема - транзистор
Cтраница 2
При монтаже в схему транзисторов КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г допускается одноразовый изгиб выводов на расстоянии не менее 2 5 мм от корпуса под углом 90, радиусом не менее 0 8 мм. При этом должны приниматься меры, исключающие возможность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается. [16]
При монтаже в схему транзисторов КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г допускается одноразовый изгиб выводов на расстоянии не менее 2 5 мм от корпуса под углом 90 % радиусом не менее 0 8 мм. При этом должны приниматься меры, исключающие возможность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается. [17]
При монтаже в схему транзисторов КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г допускается одноразовый изгиб выводов на расстоянии не менее 2 5 мм от корпуса под углом 90, радиусом не менее 0 8 мм. При этом должны приниматься меры, исключающие возможность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается. [18]
 |
Эпюры, по-ясняюш-ие структуру передачи импульсов командных каналов. [19] |
Помимо указанных в схемах транзисторов, могут быть применены другие, со сходными параметрами. Все транзисторы перед монтажом необходимо проверить. Электролитические конденсаторы должны быть рассчитаны на рабочее напряжение, превышающее значение питающего напряжения цепи, в которой применен конденсатор. Отрегулированная аппаратура в процессе эксплуатации подстройки не требует и работает устойчиво. [20]
На рис. 90 представлена схема транзистора, изготовленного из полупроводников с различной проводимостью: два крайних слоя имеют дырочную проводимость, а средний слой, находящийся между ними, - электронную. [21]
На рис. 158 приведена схема транзистора Т, включенного по схеме с общим эмиттером, содержащая две индуктивности L и L2 в цепях базы и коллектора. Требуется определить, при каких значениях индуктивностей L, и L2 эта схема будет устойчива и какова граничная частота колебаний. [22]
На рис. 1.21 покачана схема многоэмнттерного транзистора гребенчатой структуры. На ннзкоомный слой полупроводника 1, используемого в качестве вывода коллектора, нанесен слой того же полупроводника 2, имеющего большее активное сопротивление. Высокоомный слой полупроводника необходим для увеличения пробивного напряжения и уменьшения емкости коллекторного перехода. [23]
При использовании для получения схемы ИЛИ транзисторов последние соединяются друг с другом параллельно ( фиг. [24]
Входные характеристики использованного в схеме транзистора изображены на рис. 15.24, б, выходные - на рис. 15.24, в. [25]
Для использования в этлх схемах транзисторов типа п-р - п надо лишь изменить полярности источника питания Ек и Есм на обратные. Временные диаграммы таких схем почти не отличаются от временных диаграмм соответствующих схем на ламповых триодах. [26]
 |
Логический элемент ИЛИ на диодах ( а и на транзисторах ( б.| Логический элемент НЕ.| Полупроводниковый триггер. [27] |
Логический элемент НЕ выполняется по схеме транзистора с общим эмиттером ( рис. 5 - 35), управляемого подачей отрицательного импульса на базу. [28]
 |
Принципиальная электрическая схема усилителя УТ-ТС системы. [29] |
Демодулятор и модулятор построены по схеме перевернутого транзистора. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5