Схема - транзистор
Cтраница 3
На рис. 2.69, а изображена схема транзистора, включенного по схеме с общей базой, а на рис. 2.69, б - его эквивалентная схема. Сопротивления: эмиттера - R3, базы - R6, коллектора - RR и а известны. [31]
На рис. 11.31, а изображена схема транзистора с общим эмиттером для переменного тока с последовательно-параллельной обратной связью. [32]
На рис. 14.35, а изображена схема транзистора с общим эмиттером для переменного тока с последовательно-параллельной обратной связью. [33]
Схема триода с заземленной сеткой и схема транзистора с заземленным эмиттером имеют простые унисторные эквивалентные схемы, потому что два унистора из трех в этих эквивалентных схемах представляют собой разомкнутые цепи. [34]
 |
Логический элемент НЕ. [35] |
Логический - элемент НЕ выполняется по схеме транзистора с общим эмиттером ( рис. 5 - 34), управляемого - подачей отрицательного импульса на базу. При отсутствии управляющего импульса транзистор заперт и потенциал его выходного вывода равен потенциалу отрицательного полюса источника питания. При подаче отрицательного импульса на базу транзистор открывается и потенциал входного вывода становится равным потенциалу положительного полюса источника питания. Приняв потенциал положительного полюса за нуль, получим в первом случае отрицательный, во втором случае - нулевой потенциал н-а выходном выводе. [36]
На рис. 4.20 приведена эквивалентная Т - образная схема транзистора, включенного по схеме с общей базой. [37]
На рис. 5.16 приведена эквивалентная Т - образная схема транзистора, которая соответствует уравнениям, описывающим параметры четырехполюсника при малом сигнале. [38]
Сопоставлены различные по сложности эквивалентные Т - образные схемы транзисторов. В качестве критерия сравнения используется время задержки и время нарастания фронта в каскаде ОЭ. Приведена величина ошибки е для различных сочетаний параметров каскада. [39]
 |
Обобщенная эквивалентная схема автогенератора для высоких частот. [40] |
Эта схема основывается на одногенераторной Т - образной схеме транзистора, которая в наибольшей степени отражает его физические параметры. [41]
 |
Эквивалентная Т - образная схема транзистора, включенного по схеме ОБ. [42] |
На рис. 14, а приведена эквивалентная Т - образная схема транзистора, включенного по схеме ОБ с применением дифференциальных внутренних параметров транзистора. [43]
Таблица показывает, что по простоте и минимальному количеству входящих в схемы транзисторов, диодов и сопротивлений нужно отдать предпочтение выполнению их на типовых элементах ИЛИ - НЕ с диодной лри-ставкой И. [44]
Таблица показывает, что по простоте и минимальному количеству входящих в схемы транзисторов, диодов и сопротивлений нужно отдать предпочтение выполнению их на типовых элементах ИЛИ-НЕ с диодной / приставкой И. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5