Схема - транзистор
Cтраница 4
Высокие точностные и динамические параметры ОУ достигаются благодаря использованию в их схемах высококачественных транзисторов с небольшими пробивными напряжениями p - n - переходов. Поэтому при наличии вероятности попадания на выводы ОУ напряжений, превышающих предельно допустимые ( по техническим условиям), необходимо применять цепи защиты. Известные варианты защиты ОУ разделяют на три группы: по питанию, входу и по выходу. [46]
 |
Построение нагрузочной прямой.| Ступень с заземленным эмиттером. [47] |
Имеются и другие причины, из-за которых смещение гораздо лучше подавать на схему транзистора с заземленной базой, а не с заземленным эмиттером. Для всех транзисторов а изменяется от образца к образцу. В германиевых транзисторах коэффициент а почти постоянен при изменениях температуры; однако в кремниевых транзисторах а существенно изменяется, a P может возрасти даже в три раза в диапазоне температур - 50 - - 30 С. При более высоких температурах величина этого коэффициента вновь падает. [48]
Заметим, что поскольку фильтр имеет довольно узкую полосу пропускания, то нет необходимости применять схему транзистора с нейтрализацией. [49]
В справочной литературе обычно даются также пересчетные формулы, с помощью которых по известным / i-параметрам для схемы транзистора с общим эмиттером можно получить А-параметры для схемы транзистора с общей базой или с общим коллектором. [50]
Стоко-затворные характеристики обоих типов МДП-транзи-сторов ( 1 - со встроенным каналом, 2 - с индуцированным) приведены на рис. 4.29. Эквивалентная схема МДП-транзистора аналогична схеме транзистора с затвором в виде р-я-перехода. [51]
В справочной литературе обычно даются также пересчетные формулы, с помощью которых по известным / i-параметрам для схемы транзистора с общим эмиттером можно получить А-параметры для схемы транзистора с общей базой или с общим коллектором. [52]
 |
Составные транзисторы. [53] |
Входное сопротивление составного транзистора для частот сигнала три общем эмиттере и общем коллекторе и невысоком сопротивлении нагрузки на низких частотах оказывается значительно больше, чем у использованных в схеме транзисторов, и определяется обычными формулами, в которые подставляют значение / 221с, равное произведению коэффициентов усиления тока этих транзисторов. [54]
Поскольку соотношения, полученные для эквивалентных источников транзисторных ключей в структурно-компенсированных схемах модуляторов, формально совпадают с выражениями для эквивалентных источников транзисторных ключей в компенсированных схемах, то в случае применения в структурно-компенсированных схемах однотипных транзисторов с примерно одинаковыми параметрами все сказанное выше при обсуждении ( 4 - 18) и ( 4 - 19) об особенностях однополярного управления остается справедливым и для рассматриваемого случая. [55]
 |
К сопоставлению расчетов по методам контурных токов и узловых напряжений. [56] |
Рассмотрим схему транзистора, у которого зажимы коллектор-база замкнуты, а между эмиттером и базой включен внешний источник сигнала. [57]
Применение быстродействующих схем ТТЛ-типа с парафазным выходом способствует существенному улучшению эффективного быстродействия цифровых устройств, а также позволяет уменьшить число микросхем в 3 - 4 раза. Использование в этих схемах транзисторов Шоттки дает возможность строить маломощные схемы с теми же параметрами быстродействия. [58]
 |
Каскад предварительного усиления. а - без термостабилизации. б - с термостабилизацией. [59] |
Это значит, что в транзисторе, который дает большое усиление по току Р, нулевой коллекторный ток значительно усилен. Все это справедливо и для схемы транзистора с общим коллектором. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5