Схема - дарлингтон
Cтраница 1
Схема Дарлингтона ( VT5, VT8 и VT12, VT15) служит для увеличения сопротивления по входу Y. Для увеличения входного сопротивления по входу X в схему модулятора включен дифференциальный каскад на транзисторах VT1 и VT3 по схеме ОЭ. Этот каскад управляет токами баз перемножителя. Напряжение смещения на базы транзисторов ГСС поступает от транзистора VT10 в диодном включении. [1]
Схема Дарлингтона ( VT5, VT8 и VT12, VT15) служит для увеличения сопротивления по входу Y. Для увеличения входного сопротивления по входу X в схему модулятора включен дифференциальный каскад на транзисторах VT1 и VT3 по схеме ОЭ. Этот каскад управляет токами баз перемножителя. Исходя из того, что вход Y - линейный, а входной дифференциальный усилитель имеет коэффициент усиления 2 8, передаточную характеристику модулятора можно записать в виде и ых ( 2RH / RY) Uvth ( Ux / 2TcpT), причем UY: 5 В. [2]
 |
Операционный усилитель. [3] |
Схему Дарлингтона используют в усилителях низкой частоты, в генераторах и переключающих устройствах. [4]
 |
Базовая схема инвертора усовершенствованной маломощной серии с диодами Шотки типа ALS. [5] |
При небольших токах нагрузки схема Дарлингтона находится в ненасыщенном состоянии. При увеличении тока нагрузки она насыщается и выходное сопротивление возрастает до 58 Ом, определяясь в основном сопротивлением R. Это сопротивление обеспечивает защиту каскада от короткого замыкания. [6]
 |
Базовая схема инвертора усовершенствованной маломощной серии с диодами Шотки типа ALS. [7] |
При небольших токах нагрузки схема Дарлингтона находится в ненасыщенном состоянии. При увеличении тока нагрузки она на сыщается и выходное сопротивление возрастает до 58 Ом, определяясь в основном сопротивлением 1.750 Ом. Это сопротивление обеспечивает защиту каскада от короткого замыкания. [8]
Все схемные реализации ( включая схемы Дарлингтона) имеют лестничную структуру, за исключением рассмотренной в разд. В этом подразделе мы представляем два основных метода реализации активных фильтров, в которых сохраняется свойство низкой чувствительности лестничных схем: метод имитации индуктивности и метод нормирования по переменному полному сопротивлению. Эти методы почти полностью основаны на пассивных реализациях и требуют, чтобы рассматриваемая передаточная функция вначале была реализована пассивной схемой, как изложено в гл. [9]
 |
Схема типа ТТЛ с простым инвертором.| Схема типа ТТЛ со сложным инвертором и логическим расширителем. [10] |
Такая схема включения транзисторов называется схемой Дарлингтона, а ячейка, образованная двумя дополняющими друг друга транзисторами, получила название составного транзистора. [11]
Микросхемы представляют собой счетверенный ключ ( схема Дарлингтона) и предназначены для сопряжения низкоуровневых логических устройств с реле, соленоидами, двигателями ( постоянного тока и шаговыми), наборами светоизлучающих диодов ( СИД), накальными дисплеями, нагревателями. [12]
Один ключ состоит из составного транзистора ( схемы Дарлингтона) с резистором между базой и эмиттером второго транзистора. [13]
 |
Типовые выходные характеристики ( по току элемента на - канальных МОП-транзисторах. / -. ток отдачи. 2 - ток отвода. [14] |
На второй схеме прп-транзистор, включенный по схеме Дарлингтона, ОТКРЫВАЕТСЯ малым выход - Ым током, получаемым от n - канального МОП-элемента, когда по-едний находится в состоянии ВЫСОКОГО уровня. Подобная схема раничивает ВЫСОКИЙ уровень напряжения на выходе падением пряжения на двух диодах, что выглядит не совсем хорошо. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5