Схема - дарлингтон
Cтраница 4
Ток нагрузки стабилизатора течет от положительного полюса изолированного от земли источника нестабилизированного напряжения UL через выходной каскад стабилизатора, выполненный по схеме Дарлингтона на составном транзисторе Г1 ( Т, через нагрузку и далее через токоизмерительный резистор Rs к отрицательному полюсу источника. [46]
 |
Схема универсального усилителя типа SN532A / SN723. [47] |
Универсальный операционный усилитель SN524A / SN724 ( рис. 1.36) имеет высокое полное входное сопротивление, что является следствием соединения транзисторов на входе по схеме Дарлингтона. [48]
В справочнике приводятся основные электрические и предельно допустимые параметры, корпуса и их габаритные размеры, цоколевки практически всех групп серийно выпускаемых зарубежных транзисторов: кремниевых биполярных транзисторов, кремниевых биполярных составных, собранных по схеме Дарлингтона, транзисторов, полевых транзисторов с затвором на основе р - n перехода, полевых транзисторов с изолированным затвором, комбинированных транзисторов, состоящих из биполярного и полгвого с изолированным затвором транзисторов, полевых арсенидгаллиевых транзисторов с затвором в виде барьера Шотки, а также модулей мощных приборов, матриц, подобранных и комплементарных пар. [49]
Разновидность составного транзистора - схема Шиклаи ( рис. 40, б), выполняемая на комплементарной паре ( п-р - п, VT1 и р-п - р; VT2) транзисторов, обладающая примерно такими же параметрами, как и схема Дарлингтона. [50]
Блок содержит узел запуска на транзисторе УП, два одновибратора - первый на транзисторах VT2, VT3 a второй - на VT4, VT5, усилитель тока на транзисторе VT6, коммутатор тока на транзисторах VT7, VT8, включенных по схеме Дарлингтона. [51]
 |
Биполярные транзисторы на токи от 2 до 70 А. [52] |
Транзисторы по схеме Дарлингтона ( составные транзисторы), в которых силовой транзистор управляется вспомогательным транзистором, имеют большой коэффициент усиления по току. [53]
 |
Квазикомплементарные схемы Дарлингтона. [54] |
Для ограничения тока можно использовать методы, изложенные в разд. В эмиттерные цепи схем Дарлингтона следует включить сопротивления / которые будут использоваться для измерения протекающего тока. [55]
Микросхемы представляют собой 8-канальный ключ тока. Состоят из 8 схем Дарлингтона и имеют выходные каскады с разомкнутым коллектором, объединенными эмиттерами и интегральные диоды для подавления переходных процессов при индуктивных нагрузках. [56]
Работа транзисторов Шотки в ненасыщенной области приводит к увеличению падения напряжения на их переходах база-эмиттер, что уменьшает в статическом режиме ток потребления и соответственно потребляемую мощность. В выходном каскаде применена схема Дарлингтона ( VT3 и VT5), позволяющая обеспечить при выключении схемы повышенный ток заряда емкостной нагрузки, что уменьшает время задержки фронта выходного сигнала. [57]
Работа транзисторов Шотки в ненасыщенной области приводит к увеличению падения напряжения на их переходах база-эмиттер, что уменьшает в статическом режиме ток потребления и соответственно потребляемую мощность. В выходном каскаде применена схема Дарлингтона ( VT3 и VT5), позволяющая обеспечить при выключении схемы повышенный ток заряда емкостной нагрузки, что уменьшает время задержки фронта выходного сигнала. Благодаря малому падению напряжения на переходе база-эмиттер транзистора VT3, а также низкому выходному сопротивлению схемы в обоих логических состояниях схема Дарлингтона позволяет получить в микросхемах этих серий более высокий уровень выходного напряжения ивых. [58]
 |
Схема на составном транзисторе ( схема Дарлингтона. [59] |
Составные транзисторы находят применение в усилителях ОЭ. Особенно часто составной ( по схеме Дарлингтона) транзистор применяется в эмиттерных повторителях. Анализ изменений основных параметров эмиттерного повторителя на составном транзисторе по формулам (2.15), (2.16) показывает, что он имеет более высокое входное и более низкое выходное сопротивление. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5