Схема - дарлингтон
Cтраница 3
 |
Схема мощного усилителя низкой частоты К. 174УН7. [31] |
Первый усилительный каскад собран на транзисторе Т2, который с транзистором Т1 включен по схеме Дарлингтона. Транзистор ТЗ является источником тока, который обеспечивает коллекторную нагрузку с большим комплексным сопротивлением и большое усиление. Для термокомпенсации используются транзисторы в диодном включении. [32]
Выходной узел ТТЛ представляет собой прп-трш-зистор, подключенный к земле, и прп-пов-торитель ( или схема Дарлингтона), подключенный к U с резистором, ограничивающим ток, в коллекторе. Один транзистор насыщен, другой выключен. Выходная схема проектируется таким образом, чтобы можно было подключить до 10 ТТЛ-входов. [33]
 |
Схема, использующая мультивибратор для получения разного звукового эффекта звонков типа бим-бом. [34] |
Мультивибратор приводит в действие динамик через составные транзисторы ТЗ и Т4, образующие усилитель по схеме Дарлингтона. Если же имеется положительное напряжение, то мультивибратор вступает в работу и генерирует колебания, частота которых зависит от значения приложенного напряжения. [35]
Схема с эмиттерной отрицательной обратной связью или ее видоизменения, например схема каскадной обратной связи ( схема Дарлингтона), обычно используются во всех случаях, когда требуется высокое входное сопротивление. [36]
Одной из широко используемых схем с непосредственной связью является, двухкаскадный эмиттерный повторитель, иногда называемый схемой Дарлингтона ( фиг. Другая распространенная схема с непосредственной связью - это двухкаскадный усилитель с дополнительной симметрией на транзисторах типа р-п - р и п-р - п, показанный на фиг. [37]
Устройство тепловой защиты / / реализовано в виде ключа, выполненного на транзисторах VT4 и VT5 по схеме Дарлингтона. Смещение на вход ключа подается со стабилизатора напряжения при помощи эмиттерного повторителя на транзисторе VT3 и резистивно-го делителя R2, КЗ. При нормальных рабочих температурах кристалла напряжение, снимаемое с делителя, недостаточно для открытая ключа. С ростом температуры кристалла пороговое напряжение ключа понижается со скоростью 4 мВ / С и при температуре 175 15СС ключ открывается, отбирая часть тока из цепи базы составных транзисторов выходного усилительного каскада. Транзисторы подзапираются, снижая рассеиваемую кристаллом мощность. [38]
 |
Источник тока на полевом транзисторе с р-каналом.| Источник тока на полевом транзисторе с квази-р-каналом.| Биполярный источник тока с полевыми транзисторами. [39] |
Если требуется получить больший выходной ток, можно применить мощный полевой транзистор или же использовать выходной каскад по схеме Дарлингтона, который в этом случае будет состоять из маломощного полевого и мощного биполярного транзисторов, как показано на схеме рис. 12.12. Параметры источника при этом не изменяются. [40]
Транзисторные коммутаторы ТК200 - 01 и 13.370 4 - 01, выполненные на высоковольтном транзисторе КТ848А или по схеме Дарлингтона, имеют меньшие размеры и массу. [42]
 |
Сравнение параметров оптронов различных тнаов. [43] |
Типовые значения параметров оптронов с различной структурой приведены в табл. 10.3. Как видно из таблицы, оптрон со схемой Дарлингтона обладает значительным усилением по току. Такой оптрон, однако, имеет наименьшую граничную частоту. [44]
 |
Источник питания с прецизионной установкой уровня ограничения тока. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5