Эквивалентная схема - диод
Cтраница 1
 |
Эквивалентные схемы диода с р-п переходом. R - нелинейное сопротивление р-п перехода. г-сопротивление базы диоча. [1] |
Эквивалентная схема диода с р-п переходом показана на рис. 12.1, а. При прямом смещении сопротивление р-п перехода R быстро убывает с увеличением тока смещения и при токе более 10 - 50 ма становится малым по сравнению с сопротивлением базы. [2]
Эквивалентная схема диода, представленная на рис. 2.17, а, дополнена резисторами: RQ, учитывающим объемное омическое сопротивление полупроводника, и Ry, учитывающим утечку по поверхности диода. [3]
Эквивалентная схема диода ( Сп, Ln, Со, Кп, г), включающая элементы связи диода ( Lefi, Lena, ССв) с полосковвй линией передачи, представлена на рис. 4.17. На рис. 4.18 приведена эквивалентная схема согласующей цепи, состоящей из параллельного заюшутого шлейфа н 4 - х трансформирующих линий. Отрезки линий U и h совместно с диодом образуют контурную систему, настроенную на центральную частоту диапазона. PZ, PS выбраны согласно методике изложенной в [29], с целью-согласования проводимости gT с активной составляющей проводимости полученного контура. [4]
Эквивалентную схему диода с учетом реактивных параметров в соответствии с [71] представим в виде рис. 6.6. Для этой схемы будем полагать, что Сп - постоянная величина, равная некоторой средней емкости на интервале изменения напряжения на диоде, Rs const; rn - активное, изменяющееся под действием приложенного напряжения сопротивление; переход безынерционен и быстродействие диода не ограничено процессами накопления и рекомбинации носителей заряда. [5]
Составим эквивалентную схему длинного диода. [6]
На эквивалентной схеме диода источники поверхностного шума и шума утечки могут быть представлены генераторами шумового тока, включенными параллельно переходу: поверхностный шум обусловлен флуктуациями тока через переход, шум утечки связан с протеканием части тока через параллельную переходу проводящую пленку. Для поверхностного шума ( обусловленного флуктуациями потока инжектированных носителей) места подключения Ril6 и Аымб в эквивалентной схеме, очевидно, будут теми же, что и для дробового шума. Что касается шума утечки, то в обратной ветви вольтамперной характеристики сопротивление р-п перехода Ra значительно превышает RM6, а поэтому несущественно, включено jRM6 в цепь генератора шумового тока ( как на рис. 3.1) или последовательно с R вне этой цепи. Согласно выполненным измерениям для низкочастотного шума роль генератора д шда по срав. [7]
На эквивалентной схеме диода в диапазоне СВЧ р-п переход с высокой точностью отображается емкостью, которая не зависит от частоты. При этом параллельная активная проводимость перехода может быть опущена для большинства современных СВЧ диодов с управляемой емкостью. [8]
В эквивалентных схемах диода и триода не учтены падения напряжения, которые имеют место при протекании токов в самом полупроводнике: в зоне эмиттера, в зоне базы и в зоне коллектора. Сопротивления, учитывающие эти падения напряжения, должны быть включены последовательно ко всем зажимам. [9]
 |
Эквивалентные схемы диффузионного резистора. [10] |
В эквивалентных схемах диодов ( рис, 3 - 34) присутствуют паразитные емкости изолирующего перехода и перехода коллектор - база. Наибольшей постоянной времени обладает схема ( рис. 3 - 34, д), так как для нее характерно образование наибольшего заряда неосновных носителей в коллекторной и базовой областях. [11]
В результате эквивалентная схема длинного диода может быть представлена в виде рис. 5.38 а. Как следует из (5.30), с ростом тока через диод индуктивность уменьшается. Это позволяет использовать длинный диод в качестве индуктивности, управляемой током. [12]
 |
Эквивалентная схема диода при обратном смещении. [13] |
Основным параметром эквивалентной схемы диода, смещенного в обратном направлении, является барьерная емкость Сб при заданной величине постоянного обратного напряжения. [14]
 |
Схематическое изображение структуры ДБШ и прижимного контакта с малой поверхностью металлического слоя. [15] |
Страницы: 1 2 3 4