Эквивалентная схема - диод
Cтраница 3
 |
Ступеичато-иеодиородиая структура. [31] |
Программа ANALIZ ( язык FORTRAN) позволяет рассчитывать частотные характеристики управляемых устройств при заданных первичных параметрах, длинах связанных линий секций, а также параметрах эквивалентной схемы регулирующих диодов н других данных в зависимости от конкретной задачи. [32]
Если в процессе работы диодов создаются условия, при которых паразитный транзистор р-п - р ( рис. 3 - 50) оказывает существенное влияние, то эквивалентные схемы диодов должны быть соответственно дополнены. [33]
Эквивалентная схема диода Ганна при доменном режиме работы ( рис. 4.11 а) состоит из трех частей, относящихся соответственно к домену, внедоменной области диода и его корпусной части. [34]
 |
Зависимость эффективного коэффициента модуляции ягд от коэффициента модуляции напряжения Ми для случая синусоидального тока. [35] |
В любом реальном диоде емкостной ток р-п перехода протекает через области полупроводника, прилегающие к переходу и обладающие конечным сопротивлением. В эквивалентной схеме диода это обстоятельство учитывается введением последовательного сопротивления rs, которое характеризует активные потери в диоде при работе на СВЧ. В большинстве случаев сопротивление rs практически не зависит от частоты и от напряжения смещения. [36]
AQ содержат элементы, предназначенные для расширения рабочей полосы ограничителя. BQ включены элементы эквивалентной схемы диода и элементы схемы связи диода с передающей линией. Эти четырехполюсники нагружены на нелинейные емкости и сопротивления полупроводниковых диодов. В общем случае схемы ограничителей СВЧ диапазона могут содержать как сосредоточенные, так и распределенные элементы, включая связанные линии. [37]
Объединяющий диоды и зажимы комбинационных частот многополюсник О является линейным. Он охватывает все линейные элементы эквивалентных схем диодов и проводимости нагрузок внешних зажимов комбинационных частот, которые показаны на рис. 2.30 в пределах контура этого многополюсника. Поэтому все внешние источники, подключаемые к зажимам схемы, должны представляться как генераторы тока с нулевой внутренней проводимостью. [38]
Качественно характер этой зависимости соответствует эквивалентной схеме диода с учетом емкости базы. [39]
 |
Эквивалентная схема быстродействующего импульсного. [40] |
На рис. 6.7 приведены эквивалентные схемы цепей стробимпульсов и сигналов. В первой из них учтено последовательное соединение элементов эквивалентной схемы диода, во второй - параллельное. [41]
Характеристика инерционных свойств диода с помощью емкостей особенно удобна в случае малых переменных сигналов, действующих на фоне больших постоянных смещений. При этом емкости оказываются почти линейными и весьма наглядно дополняют эквивалентную схему диода. В случае больших сигналов использование емкостей, особенно диффузионной, становится нецелесообразным, так как их нелинейность проявляется в такой мере, что эквивалентная схема теряет свою наглядность, а анализ делается отнюдь не более простым, чем при использовании уравнений непрерывности. [42]
В нашем случае логической записью является, например, программа расчета внутренних параметров эквивалентной схемы диода какой-либо конкретной топологии. [43]
 |
Зависимость сопротивления гд и емкости СДИф от частоты сигнала, полученная на основании формул и. [44] |
Таким образом, для каждого диода можно найти такое значение прямого тока смещения, при котором изменяется характер его сопротивления. Такие зависимости, снятые при помощи измерителя полных сопротивлений Р2 - 3 ( ИПСП-1), показаны на рис. 6.4. Эквивалентная схема диода представлялась в виде параллельного соединения активного, емкостного и индуктивного сопротивлений. Определя ющим является то из сопротивлений XL или Хс, величина которого меньше. [45]
Страницы: 1 2 3 4