Эквивалентная схема - диод
Cтраница 2
Заметим, что эквивалентная схема диодов коаксиального и волновод-ного типов в отличие от рис. 1.13 не содержит емкости Ск, как это очевидно из их конструкции. [16]
Для правильного представления эквивалентной схемы диода необходимо измерять емкость собственно р-п перехода. [17]
 |
Эквивалентная схема ЛПД. [18] |
На рис. 3.29 приведена эквивалентная схема лавин-но-пролетного диода. [19]
 |
Эквивалентные схемы варикапов для области низших ( а и высших ( б частот.| Зависимости добротности варикапа от частоты ( а и обратного напряжения ( б. [20] |
Эквивалентные схемы варикапа аналогичны эквивалентным схемам диодов. В полной моделирующей схеме ( рис. 9 - 28) учитываются емкость р-п перехода С, утечка g, шунтирующая запертый р-п переход, сопротивление выводов г ( в том числе объемное сопротивление полупроводниковой пластинки), собственная индуктивность LM выводов и конструктивная емкость См корпуса и выводов. Элементы LM и См оказываются существенными лишь в области СВЧ, причем их присутствие может привести к заметным отклонениям действующей емкости варикапа от емкости С p - n - перехода. Роль активного сопротивления г и проводимости утечки g с изменением рабочей частоты изменяется. [21]
 |
Эквивалентные схемы варикапов для области нижних ( а и иерхних ( б частот.| Зависимость добротности варикапа от частоты ( а и обратного напряжения ( б. [22] |
Эквивалентные схемы варикапа аналогичны эквивалентным схемам диодов. В полной моделирующей схеме ( рис. 2 - 19) учитываются емкость р-п перехода С Сб, утечка g, шунтирующая запертый р-п переход, сопротивление выводов г ( в том числе объемное сопротивление полупроводниковой пластинки), собственная индуктивность LM выводов и конструктивная емкость См корпуса и выводов. Элементы LM и См оказываются существенными лишь в области СВЧ, причем их присутствие может привести к заметным отклонениям действующей емкости варикапа от емкости Се р-п перехода. Роль активного сопротивления т и проводимости утечки g изменяется с изменением рабочей частоты. [23]
На рис. 3.18, г показана эквивалентная схема диода, включенного в обратном направлении. [24]
 |
Диод с последовательно включенным активным сопротивлением и источником питания.| Построение линии нагрузки для постоянного тока на характеристике диода.| Выпрямительный диод 5U4 - G с активным. [25] |
На рис. 2 - 16 дана эквивалентная схема диода для переменного тока. [26]
В состав библиотеки системы кроме стандартных функций, упомянутых выше, включены эквивалентные схемы диодов, транзисторов и трансформаторов, каждая из которых представлена своим топологическим описанием, подпрограммой расчета выходных параметров и тремя наборами внутренних параметров, соответствующих нормальной, минимальной и максимальной температурам окружающей среды. Наличие таких библиотечных моделей активных элементов значительно облегчает пользователю работу по подготовке исходных данных, не уменьшая ( за счет большого набора эквивалентных схем) моделирующих возможностей системы. Кроме того, если в библиотеке отсутствует нужная модель или подходящий набор ее параметров, у пользователя остается возможность поэлементного описания модели или включения в состав информации, описывающей анализируемую схему, соответствующего набора внутренних параметров. Следует отметить, что в обоих этих случаях существенно увеличиваются объемы как исходных данных, так и рабочей программы. [27]
Во многих применениях полупроводниковых диодов интерес представляют соотношения шума и сигнала на двух парах полюсов эквивалентной схемы диода - на входных и на выходных полюсах, при фиксированных условиях на остальных парах полюсов. [28]
Например, большие затруднения возникают при рас - Nere СВЧ устройств, содержащих полупроводниковые йяоды, так как хотя эквивалентные схемы диодов в принципе известны, параметры этих схем и элементов связи диодов с линией передачи в значительной степени зависят от геометрической конфигурации области, в которой находится диод. Экспериментальное измерение параметров схем методами - перемещающейся реактивной нагрузки оказывается затруднительным, особенно в случае микрополосковых линий или-схем, работающих на высоком уровне мощности. [29]
Более строгий учет реальных нагрузок смесительного диода на ряде гармоник гетеродина может проводиться как при решении системы нелинейных дифференциальных уравнений, соответствующих эквивалентной схеме диода и смесительной камеры, так и методом поиска условий баланса комплексных амплитуд напряжений гармоник гетеродина на зажимах диода и его внешней цепи или баланса мгновенных значений напряжения на тех же зажимах. [30]
Страницы: 1 2 3 4