Эквивалентная схема - транзистор
Cтраница 2
 |
Эквивалентная схема мощного СВЧ транзистора в активном. [16] |
Эквивалентная схема транзистора в активном режиме показана на рис. 2.7. В ряде случаев параметры некоторых элементов, изображенных на схеме, в справочных данных отсутствуют. Это значит, что эквивалентная схема должна быть соответствующим образом упрощена. [17]
 |
Эквивалентная схема транзистора для определения характера входного сопротивления.| Векторные диаграммы токов и напряжений транзистора. [18] |
Эквивалентная схема транзистора с заземленной базой дана на рис. 4.33. Емкость Сэ, включенная параллельно сопротивлению эмиттера гэ, представляет собой сумму диффузионной и барьерной емкостей эмиттера. Сопротивление коллектора существенно не влияет на входное сопротивление и поэтому опущено. [19]
Эквивалентная схема транзистора представляется в виде четырехполюсника. [20]
Эквивалентная схема транзистора в режиме коммутации ( рис. 4 - 4) показывает, что источники паразитных сигналов, обусловленные наличием остаточных параметров, генерируют сигналы разных знаков в зависимости от знака напряжения или тока управления. В результате этого сигнал помехи, выделившийся на нагрузке, будет иметь частоту тока управления. Очевидно, что в случае низкого входного сопротивления усилителя, равно как и датчика, величина сигнала помехи будет определяться величиной остаточного напряжения и, наоборот, при использовании модулятора в высокоомных цепях величина сигнала помехи будет обусловлена величиной остаточного тока, особенно при высоких температурах окружающей среды. [21]
 |
Эквивалентная схема транзистора для / 1-пара-мэтров. [22] |
Эквивалентная схема транзистора, которая соответствует (4.6), изображена на рис. 4.6. Она содержит два зависимых источника: один - источник напряжения, управляемый напряжением, другой - источник тока, управляемый током. Используя формальные преобразования, подобные уравнениям (4.2), можно исключить зависимый источник напряжения, что будет способствовать упрощению анализа. Однако на практике к такому преобразованию не прибегают, так как для звукового диапазона частот коэффициент обратной передачи напряжения Л12 транзистора - величина весьма незначительная и ею в первом приближении можно пренебречь. В результате получается упрощенная эквивалентная схема транзистора для - параметров с одним зависимым источником тока. Значения ft - параметров для разных схем включения транзистора будут, естественно, различными, Особенно это заметно в схемах включения транзистора с ОБ и с ОЭ, когда входные токи значительно отличаются друг от друга. Необходимые параметры транзистора определяются при сравнении соответствующих схем включения. [23]
 |
Положительные направления [ IMAGE ] Эквивалентная схема тран-яапряжений и токов четырехполюсника. зистора с / г-параметрами. [24] |
Эквивалентная схема транзистора с / i-параметрами справедлива для любой схемы включения транзистора. [25]
 |
Эквивалентная схема мощного СВЧ транзистора в активном. [26] |
Эквивалентная схема транзистора в активном режиме показана на рис. 2.7. В ряде случаев параметры некоторых элементов, изображенных на схеме, в справочных данных отсутствуют. Это значит, что эквивалентная схема должна быть соответствующим образом упрощена. [27]
Представленная эквивалентная схема транзистора в значительной степени сходна с изображенной на фиг. И в той и другой схеме проводимость У12 характеризует обратную связь между входом и выходом усилительного элемента. В лампе эта связь обусловлена проходной емкостью сетка - анод Cga, а в транзисторе - параллельной цепью из активной проводимости и емкости. При этом следует заметить, что проводимость обратной связи в транзисторной схеме значительно выше, чем в ламповой, вследствие чего усилители на транзисторах менее устойчивы, чем ламповые. При оценке усилительных свойств каскада следует также принимать во внимание комплексный характер крутизны S транзистора и ее зависимость от частоты. [28]
 |
БО. Транзистор полупроводниковой ИС с изолирующим р-п переходом.| Эквивалентная схема МДП транзистора. [29] |
Эквивалентная схема МДП транзистора с распределенными параметрами приведена на рис. 3 - 52, а. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5