Cтраница 3
Существующие эквивалентные схемы транзисторов приведены в гл. [31]
Какая эквивалентная схема транзистора применяется при использовании г-параметров. [32]
![]() |
Принципиальная схема ТПУ на транзисторе 2N1709. [33] |
Из эквивалентной схемы транзистора следует, что повышение эффективности ТПУ возможно введением дополнительных внешних цепей, которые шунтировали бы участки с большими потерями. Так, например, в ТПУ по схеме с общей базой, где главные потери вносятся сопротивлением базы г &, целесообразно ввести цепь для замыкания выходной частоты через эмиттерный переход, для чего эмиттер должен быть заземлен через фильтр, настроенный на выходную частоту. [34]
Параметры эквивалентной схемы транзистора, в том числе и высокочастотные, зависят от рабочего режима транзистора по постоянному току ( рабочей точки), а также от температуры окружающей среды. [35]
Постройте эквивалентную схему транзистора, элементы которой выражены через / г-параметры. [36]
Какие существуют эквивалентные схемы транзистора. [37]
Значения параметров эквивалентной схемы транзисторов указываются в справочниках при типовых режимах питания. Как правило, при проектировании усилителей наиболее часто применяются режимы, существенно отличающиеся от паспортных. Расчет каскадов по справочным данным оказывается в этих случаях приближенным. Аналитические зависимости параметров транзисторов от режимов работы настолько сложны, что учесть их в инженерных расчетах не представляется возможным. [38]
![]() |
Эквивалентная схема биполярного транзистора по модели Эберса-Молла. [39] |
При построении эквивалентной схемы транзисторов наиболее широко используется нелинейная инжекционная модель Эберса - Молла. [40]
Для построения эквивалентной схемы транзистора в схеме с ОЭ можно использовать эквивалентную схему с ОБ, изменив входные зажимы, как показано на рис. 4 - 12, а. Однако при анализе схем на транзисторах такая эквивалентная схема неудобна, так как параметры эквивалентного генератора в ней определяются не током входного электрода ( базы), а током эмиттера. Поэтому для схемы с ОЭ целесообразно построить специальную эквивалентную схему, параметры которой можно определить следующим образом. [41]
![]() |
Эквивалентные схемы транзистора. [42] |
При построении эквивалентной схемы транзистора исходят из того, что эмиттерный и коллекторный переходы, так же, как и тонкий слой базы, обладают некоторыми определенными сопротивлениями, равными соответственно гэ, гк и гб. [43]
Структура ряда эквивалентных схем транзистора позволяет выразить все / - параметры эквивалентного четырехполюсника и их частотные зависимости с помощью единой обобщенной ф-лы. [44]
В качестве эквивалентной схемы транзисторов в ПАЭС-1 используется одна стандартная конфигурация модели Эберса и Молла. [45]