Эквивалентная схема - транзистор
Cтраница 5
 |
Физическая эквивалентная схема транзистора. [61] |
На рис. 4.16 показана эквивалентная схема транзистора, соответствующая его физическим параметрам. [62]
 |
Семейство выходных характеристик. [63] |
Приведенная на рис. 2.13 эквивалентная схема транзистора, хотя проста и очень удобна для вывода расчетных формул и пользования ими, однако, носит формальный характер и не отражает происходящие в транзисторе физические процессы. [64]
 |
Учет влияния паразитной емкости эмиттер - земля. [65] |
На рис. 5.1 приведена эквивалентная схема транзистора с учетом паразитной емкости эмиттер - земля. [66]
 |
Эквивалентная схема транзистора. [67] |
На рис. 3.2 приведена эквивалентная схема транзистора, справедливая для широкой полосы частот. [68]
С введением этого параметра эквивалентную схему транзистора начали представлять вместо Т - образной с эквивалентным генератором напряжения гг / э, Т - образной схемой с эквивалентным генератором тока а / э, подсоединенным параллельно коллекторному сопротивлению гк. [69]
 |
Эквивалентные схемы для расчета компонентов полного тока шумов. [70] |
Это позволяет пренебречь в эквивалентной схеме транзистора ( рис. 4.21) сопротивлением коллектора гк и упростить дальнейшие выкладки. [71]
Поэтому в ишкенерных расчетах применяют эквивалентные схемы транзисторов в основном с сосредоточенными параметрами. [72]
Выражение (12.24) можно получить из эквивалентной схемы транзистора, приведенной на рис. 5.35, или из схемы, изображенной на рис. 12.5, если пренебречь величиной rble, что допустимо при резонансной частоте / 0, большей предельной частоты / Й21е в схеме ОЭ. [73]
За основу построения обычно берут формальную эквивалентную схему идеализированного транзистора, называемого одномерной теоретической моделью. При изучении одномерной теоретической модели транзистора считают, что носители заряда в нем движутся по параллельным путям, а поверхностная рекомбинация только изменяет время жизни носителей. Кроме того, в одномерной теоретической модели не учитывают влияние объемных сопротивлений и токов, проходящих через барьерные емкости переходов. При таких предположениях получается, что параметры формальной эквивалентной схемы довольно просто выразить через конструктивные параметры идеализированного транзистора ( толщину базы), режим его работы, свойства материала. [74]
Страницы: 1 2 3 4 5