Зонная схема

Cтраница 2

На языке энергетической зонной схемы, с помощью которого раскрывается электронный механизм явления. [16]

Основываясь на зонной схеме и картине валентных связей в кремнии и германии, можно сделать целый ряд выводов о свойствах этих полупроводников. Например, исходя из чисто качественных соображений, мы приходим к выводу, что свойства полупроводниковых приборов должны существенно зависеть от температуры. Повышение температуры кристалла сопровождается разрывом некоторой части валентных связей и увеличением числа свободных носителей тока. Появление дополнительных носителей тока в обычных полупроводниках приводит к увеличению его проводимости. Многие из параметров, хаоактеризующих свойства полупроводниковых приборов, в значительной мере зависят от величины проводимости и поэтому существенно меняются при изменении температуры. Если мы нагреем полупроводник до такой температуры, при которой все наиболее слабые ( благодаря наличию атомов примеси) валентные связи будут уже разорваны, то дальнейшее нагревание приведет к меньшему росту числа свободных носителей тока, ибо основные валентные связи гораздо прочнее. [17]

Потаповым предложено применение зонной схемы при рассмотрении электропроводности стекла. Необходимые для этого исходные данные могут быть получены из поглощения в ультрафиолетовой области и наблюдения бомбардировки медленными электронами и ионами. [18]

Контакт - типа. правлении и из / г - области в. [19]

На рис. 8.36 показана зонная схема п - п перехода в равновесном состоянии. [20]

Гипотетическая схема основных уровней, влияющих на транспортные свойства металлфта-щеиии. У различных центральных ионов металлфталоциаиина 5 4 - РСМ 14, . [21]

На рис. 3.30 приведена зонная схема, где объединены все упоминавшиеся факты. Положение энергетического уровня РсМ рассчитано по характеристикам поглощения. [22]

Следует отметить, что зонные схемы адсорбентов можно рассматривать как некоторое приближение, требующее дальнейшего уточнения. [23]

Возгорание люминесценции ZnO, потушенной Щкисло-родом, при переходе от кратковременных освещений к длительному.| Возгорание люминесценции ZnO, потушенной парами воды ( 16 торр, при переходе от кратковременных освещений к непрерывному. [24]

На рис. 9 представлена зонная схема окиси цинка согласно последним представлениям. Верхние локальные уровни, отмеченные на рисунке Zn ( Zn - e), созданы избыточными атомами цинка, которые, согласно Мольво и Штокману [8], а также Вергунас и Коновалову [9], являются центрами, от которых отделяются электроны темновой проводимости. [25]

На рис. 9.4 представлена зонная схема полупроводника н-типа и приведены обозначения параметров, обычно используемых при описании свойств поверхности полупроводника. [26]

На рис. 24 представлена заведомо упрощенная зонная схема строения кристаллофосфора. По оси ординат, как обычно, отложена величина энергии. Масштаб по оси абсцисс не имеет реального физического смысла и лишь указывает на всеобщую или локальную принадлежность того или иного уровня в кристаллической решетке. [27]

Электроны описываются с помощью расширенной зонной схемы, так что волновой вектор k не обязательно лежит в первой зоне Бриллюэпа. Обозначения волнового вектора отдельных состояний выбирается преимущественно таким образом, чтобы приближения относительно матричного элемента, упоминавшиеся выше, были бы как можно более справедливыми. Это значит, что электрон в состоянии k рассматривается как свободный электрон с тем же волновым вектором. Как и обычно, чтобы получить дискретную систему значений для k, вводятся периодические граничные усло-ния. [28]

Электроны описываются с помощью расширенной зонной схемы, так что волновой вектор k не обязательно лежит в первой зоне Бриллюэна. Обозначения волнового вектора отдельных состояний выбирается преимущественно таким образом, чтобы приближения относительно матричного элемента, упоминавшиеся выше, были бы как можно более справедливыми. Это значит, что электрон в состоянии k рассматривается как свободный электрон с тем же волновым вектором. Как и обычно, чтобы получить дискретную систему - значений для k, вводятся периодические граничные условия. [29]

На рис. 8Л2 д показана зонная схема п - и р-обяа-стей полупроводника в момент приведения их в контакт. При комнатной температуре уровень Ферми в n - германии, содержащем NKl ( fe и3, располагается несколько ниже донорных уровней; в р-германии при Nal № 2 м - 3 уровень Ферми располагается несколько выше акцепторных уровней. [30]

Страницы: 1 2 3 4