Зонная схема

Cтраница 3

На рис. 6.8 а показана зонная схема полупроводника n - типа. Основными носителями в нем являются электроны, неосновными - дырки. [31]

В настоящее время не существует общепринятой зонной схемы электронного строения окислов переходных металлов. Вследствие незаполненности d - уровней, должна была бы наблюдаться металлическая проводимость. При ферромагнетизме для движения электро-лов не требуется энергии активации, при антиферромагнетизме же спины соседних ионов расположены антипараллельно и переход электронов происходит с поворотом спина, для которого требуется энергия активации. В некоторых случаях, например, в Ti203, действительно наблюдали излом на экспериментальной кривой lg a - при переходе от антиферромагнетизма к парамагнетизму при температуре Нееля. Де-Бур и Вервей [155] впервые обратили внимание на то, что в окислах переходных металлов не образуется d - зона, так как катионы разделены анионами и их волновые функции не перекрываются. В таких окислах, как Cr203, Fe203, CoO, NiO и другие Sd-электроны занимают уровни, локализованные на катионах, и таким образом при стехиометрическом составе при комнатной температуре являются изоляторами. Проводимость возникает в них лишь при введении примесей. [32]

Как и ранее, рассмотрим зонную схему фотопроводника ( рис. 92), имеющего в запрещенной зоне рекомбинационные центры S, обеспечивающие значительно большее время жизни электронов тл в с-зоне по сравнению с временем жизни дырок тр в г - зоне, так что фотопроводимость можно считать чисто электронной. [33]

Порог поглощения свинцовых солей. [34]

Знакомство с ними позволяет уточнить зонную схему внутри валентной зоны и зоны проводимости. [35]

Несмотря на то, что многие зонные схемы в настоящей книге содержат обозначения двойных групп ( например, рисунки 2.13 - 2.15), в большинстве случаев достаточно знать только неприводимые представления двойных групп в центре зоны ( точка Г) кристаллов типа цинковой обманки. Поскольку одиночная группа Г в кристаллах типа цинковой обманки содержит 24 элемента, очевидно, что двойная группа будет содержать 48 элементов. Однако число классов в двойной группе не обязательно в два раза больше, чем в соответствующей одиночной группе. Причина последнего заключается в том, что класс С в одиночной группе может как относиться, так и не относиться к тому же классу, что и ЕС в двойной группе. В случае группы Г в кристаллах типа цинковой обманки элементы в ЗС и в З - ЕС принадлежат к одному классу в двойной группе. В результате 48 элементов в двойной группе Г в кристаллах типа цинковой обманки разделяются на восемь классов. [36]

Золото, активатор 37, 112 Зонная схема люминесценции 73 п ел. [37]

В ряде случаев может оказаться пригодной и обычная зонная схема - например, когда подвижность носителей тока больше 1 см2 / в-сек. Зонный механизм помогает объяснить и процессы фотопроводимости. [38]

Зонные схемы водоотводящей сети. [39]

На рис. 4.3 представлены два часто встречающихся варианта зонной схемы. Первая схема ( рис. 4.3, а) принимается при незначительном возвышении территории города, удаленного от реки. Лишь сокращение длины коллектора верхней зоны и расположение его по трассе со значительным уклоном поверхности земли обеспечивают самотечный отвод воды к очистным сооружениям. Вторая схема ( рис. 4.3, б) возможна при возвышении поверхности земли в центре города. Устройство дюкера для отвода воды от верхней зоны позволяет сохранить напор воды для обеспечения подачи ее на очистные сооружения. [40]

Если пренебречь мннн-щелями, то эта зависимость в расширенной зонной схеме состоит из двух парабол с центрами при kx k0 ( k0 0 85 ( 2т / а)), относящихся к двум 100) долинам. [41]

Уравнение (2.10), описывающее фотоэмиссию проводников, в рамках зонной схемы было получено в приближении свободных электронов, которое несправедливо для полупроводников. Кроме того, для проводников всегда считается, что фотоэлектроны выбиваются с поверхности, так что фотоэлектрическая эмиссия у проводников - почти полностью поверхностный эффект, в то время как теоретические и экспериментальные исследования показывают, что фотоэффект у полупроводников частично носит поверхностный, а частично объемный характер. [42]

Для понимания и объяснения электрических свойств переходных форм углерода применима качественная зонная схема энергетических уровней я-электронов в этих материалах. [43]

Вместе с Зейтцем можно представить энергетические уровни в приведенном представлении зонной схемы так, как это изображено на рис. 4.16. Эта схема характеризуется тем, что энергия запрещенного перехода АВ может быть меньше энергии наинизшего разрешенного оптического перехода. [44]

Увеличение энергии дырки и отрыв ее от атома означают переход на зонной схеме вниз ( где энергия дырки больше) - в зону валентности. Отрыв дырки от атома и превращение ее в свободную частицу означает переход одного из электронов основного вещества ( германия) к атому примеси. На это требуется небольшая энергия AE2 ( тоже порядка сотых долей элек-троновольта), которую электрон может получить от решетки, поглотив фонон. [45]

Страницы: 1 2 3 4