Зонная схема

Cтраница 4

В случае обычного полуметалла или узкозонного полупроводника спаривание приводит только к перестройке зонной схемы, т.е. к переходу в фазу экситон-ного диэлектрика. Сверхпроводимость в экситонном диэлектрике в дейстиительностн невозможна в силу его локальной электронейтральности. Более того, наличие межзонных переходов спаривающихся квазичастиц снимает вырождение системы по фазе параметра порядка, что делает невозможной и сверхтекучесть. Однако если спариваются пространственно разделенные электроны и дырки, то туннельные процессы между спаренными квазичастицами могут быть пренебрежимо слабыми и система может переходить в экситонное сверхтекучее состояние. Сверхтекучее движение пар из пространственно разделенных электронов и дырок соответствует незатухающим токам, текущим в различных участках системы в противоположных направлениях. [46]

Многие катализаторы являются псевдоаморфными или по крайней мере плохо окристаллизованными, однако зонную схему все-таки можно применять для их описания, так как эта схема имеет более широкое основание, чем периодичность кристаллической решетки. [47]

Зависимость а от / iv в кремнии.| Зависимость ц от hv в области его малых значений. [48]

Из этого соотношения следует, что электрон может совершать невертикальные переходы в зонной схеме. [49]

При двух или нескольких водных протоках или наличии обратных склонов возможно применение параллельной или зонной схемы. В этом случае ливнеотводы от ливнеспусков могут иметь большую длину. Такие ливнеотводы используются для приема сточных вод от тяготеющих к ним площадей стока, следовательно, в данном случае не требуется устройство параллельных трубопроводов. При этом, однако, на ливнеотводах необходимо устраивать специальные перехватывающие устройства ( по типу разделительных камер) для отведения в общесплавную сеть расхода сточных вод в сухую погоду и дождевых вод от часто повторяющихся неинтенсивных ливней. [50]

Зонная структура свободной частицы в схеме широкой зоны ( а и в схеме приведенной зоны ( б. [51]

График зонной структуры, в которой k может принимать все возможные значения, известен как широкая зонная схема. Из (2.6) видно, что выбор k для индексации волновой функции не является однозначным. Это является следствием трансляционной симметрии кристалла. Область - пространства, определенная интервалом [ тг / 72, тг / 72 ], называется первой зоной Бриллюэна. График зонной структуры, полученный в результате ограничения волнового вектора k первой зоной Бриллюэна, называется приведенной зонной схемой. В этой схеме волновые функции индексируются целочисленными п ( называемыми индексами зон), а волновой вектор k ограничен первой зоной Бриллюэна. [52]

Малость перекрытия соседних d - состояний приводит к картине, которую даже качественно нельзя описать зонной схемой. В кристаллах, содержащих переходные металлы, имеются две конкурирующие энергии: во-первых, энергия, связанная с матричными элементами между d - состояниями и состояниями на соседних атомах, и во-вторых, энергия U кулоновского взаимодействия двух с. В кристаллах, не являющихся соединениями переходных металлов, мы пользовались одноэлектронным приближением, и энергия U входила в периодический потенциал и никогда не рассматривалась явно. [53]

Окись цинка. с растворенным в ней Al2t3 . [54]

Измерение электропроводности а полупроводника как функции температуры позволяет найти концентрацию дефектов и положение их уровней в зонной схеме. [55]

В результате было выдвинуто предположение, что в хлориде серебра при образовании экситонов первоначальный переход в приведенной зонной схеме является вертикальным. В этом случае экси-тон может диссоциировать, в результате чего наблюдается фотопроводимость. Тот факт, что при освещении светом с длиной волны экситонного возбуждения фотопроводимость обнаруживается даже при 2 К, показывает, что экситоныв хлориде серебра подвижны и могут диссоциировать на дефектах. Вводя в рассмотрение фонон-экситонное взаимодействие, логично предположить, что длинноволновый хвост, форма которого существенно зависит от температуры и степени бездефектности кристалла, может быть целиком обусловлен переходами, которые нормально запрещены квантово-оптическими правилами отбора. [56]

Очевидно, перечисленные характеристики должны передаваться достаточно надежно, поскольку они используются в дальнейшем для привязки локальных уровней к зонной схеме совершенного кристалла и для исследования тех изменений в электронной структуре, которые обусловлены появлением ЛЦ. Разумеется, правильно должна воспроизводиться также симметрия состояний, соответствующих краям энергетических зон. [57]

Поэтому представляет существенный интерес выявить возможности сравнительно более простого подхода, основанного ни модели КРЭЯ для рассмотрения положения локальных уровней в зонной схеме. [58]

Страницы: 1 2 3 4