Внедрение - примесь
Cтраница 1
 |
Профиль, образуемый в результате диффузии кислорода в окружающее пространство при термообработке при 1050 С в атмосфере азота. 1 - измеренные значения. 2 - расчетные значения. [1] |
Внедрения примесей, в частности атомов различных металлов, в полупроводниковую подложку в процессе изготовления ИС также приводят к образованию новых дефектов. Формирование намеренно нарушенного слоя на тыльной стороне подложки вызывает генерирование атомов тяжелых металлов. Самый новый и уже повсеместно применяемый метод - это собственное генерирование. В этом методе искусно используется рассмотренное выше поведение атомов кислорода. Сначала подложка подвергается высокотемпературной термообработке в неокислительной атмосфере. Это вызывает диффузию кислорода из приповерхностной области подложки в окружающее пространство, и, как показано на рис. 4.8, в приповерхностной области подложки образуется обедненный кислородом слой глубиной несколько мкм. Далее проводится продолжительная термообработка подложки при невысокой температуре, приводящая к формированию под обедненным слоем области с высокой плотностью микроскопических дефектов. [2]
 |
Примеры использования процесса диффузии примесей. [3] |
Внедрение примесей в исходную пластину ( или в эпитаксиальный слой) путем диффузии при высокой температуре является в настоящее время основным способом создания диодных и транзисторных структур. [4]
Внедрение примеси в объем аморфной твердой фазы независимо от механизма. [5]
 |
Примеры исполь - СТИНУ п-типа можно во время 1 - й диффузии. [6] |
Внедрение примесей в исходную пластину ( или в эпитаксиальный слой) путем диффузии при высокой температуре является в настоящее время основным способом создания диодных и транзисторных структур. [7]
Различия в характере внедрения примесей в основу ( вхождение внутрь решетки, адсорбция на поверхности микрокристаллов, смесь микрокристаллов) могут в определенных условиях сказаться на характере испарения в источнике ( см. гл. [8]
 |
Установка для ионного внедрения примесей в полупроводник. [9] |
При ионном методе внедрения примесей кремний покрывают слоем окисла, наносят электроды затвора, а затем уже пластину облучают ионами высокой энергии. Металлический электрод полностью поглощает ионы, а на незакрытых участках ионы примеси проникают в глубь кристалла, образуя проводимость нужного типа. Ионы проникают в кремний на очень малую глубину. При энергии 100 кэВ ионы фосфора и бора проникают на 0 4 и 0 6 мкм, а при увеличении энергии до 1 МэВ - глубина проникновения увеличивается всего до 1 5 - 2 мкм. [10]
Таким образом одновременно происходит внедрение примеси по обоим механизмам, причем доля участия каждого из них определяется соотношением между [ VM1 и п, которое в свою очередь определяется собственным разупорядочением. [11]
В общем случае степень внедрения примеси в кристаллы соли должна прежде всего зависеть от ее концентрации в жидкой фазе или от соотношения примеси и соли в ней. [12]
По-видимому, это обусловлено внедрением примесей, в основном в межцепочечное пространство. [13]
Адсорбция компонентов реакционной среды на поверхности полупроводниковых катализаторов равнозначна внедрению примесей в поверхность катализатора с появлением новых локальных электронных уровней, сдвигом уровня Ферми и общим изменением состояния электронно-дырочного газа. Следовательно, с точки зрения электронной теории катализа данный тип влияния среды на активность катализатора включается в общее рассмотрение механизма гетерогенно-каталитических реакций. [14]
 |
Вытравливание рисунка на поверхности пластины с помощью фоторезиста. [15] |
Страницы: 1 2 3 4