Внедрение - примесь
Cтраница 2
При этом окисная пленка служит надежной защитой, предохраняющей кремний от нежелательного внедрения примеси в отдельных участках поверхности. [16]
Для получения цинковых белил применяется химически чистый сульфат цинка, так как внедрение примесей в кристаллическую решетку снижает их белизну. [17]
Это явление может быть связано с насыщением твердых растворов или с изменением характера внедрения примеси. Вполне возможно, что с дальнейшим увеличением содержания примеси в твердой фазе она перестает образовывать раствор замещения или внедрения, а начинает внедряться в виде самостоятельных участков кристаллической решетки. Тот факт, что изменение свойств происходит только до тех пор, пока примесь увеличивает концентрацию твердого раствора, может помочь при определении предельных концентраций твердых растворов одного вещества в другом в тех случаях, когда, например, рентгенографический анализ оказывается бессильным. [18]
Процесс роста кристалла сам по себе уже является отклонением от равновесных условий и количественно внедрение примесей в кристалл описывается не равновесным коэффициентом распределения, а некоторым эффективным коэффициентом распределения, который определяется как отношение концентрации примесей в твердой фазе к концентрации примесей в жидкой фазе. Отклонение коэффициента распределения от его равновесного значения вызывается тем, что при направленной кристаллизации жидкая фаза уже не является гомогенной по своему составу. Для того чтобы установить зависимость величины эффективного коэффициента распределения примеси от условии выращивания кристалла, рассмотрим, что происходит на границе раздела между твердой и жидкой фазами. В начальный момент времени концентрация примеси Сж имеет одно и то же значение по всему объему расплава, если ( как принимаем) примесь не испаряется из него. [19]
Существенно уменьшить размеры эмиттера можно созданием так называемого полного эмиттера, в котором окно для внедрения примеси совпадает с окном-под контакт к области эмиттера. [20]
Литография ( гравировка) используется при изготовлении ИС для создания окон в масках с целью обеспечения локального характера внедрения примесей в полупроводниковую пластину и получения заданной конфигурации элементов. [21]
Создание ионного потока примеси осуществляется в специальных установках. Глубина внедрения примеси в полупроводниках зависит от энергии и массы ионов. Глубина проникновения примеси и, соответственно, толщина имплантированного слоя пропорциональна энергии ионов. С другой стороны, с ростом энергии ионов возрастает количество радиационных дефектов в кристалле и ухудшаются его электрофизические параметры. Энергия ионов лежит в пределах 10 - 1500 кэВ, что и ограничивает толщину имплантированного слоя на уровне 0 1 - 0 4 мкм. [22]
 |
Зависимость предела текучести от температуры. [23] |
Металлы с ОЦК-решеткой ( ОЦК - объемно-центрированная, ГЦК - гранецентрированная кубическая, ГПУ - гексагональная плотноупакованная), содержащие малые концентрации примесей, имеют слабую температурную зависимость предела текучести, но при этом наблюдаются рост предела прочности и сохранение высокого уровня пластичности. У металлов с ОЦК-решеткой внедрение примесей в малых количествах ( в сотых долях) могут вызвать переход в хрупкое состояние, а с ГЦК-решеткой - количество примесей даже около 1 % мало влияет на пластичность. Этим в основном и объясняется, что при низких температурах могут работать металлы с ГЦК-решеткой. [24]
Одним из методов введения примесей является кристаллизация из растворов. Таким образом, задача внедрения примесей сводится к выяснению закономерностей сокристаллизации макропримесей. [25]
Положение уровня Ферми на поверхности может отличаться от положения в объеме твердого тела вследствие изгиба энергетических зон на поверхности, обусловленного избытком: или недостатком заряда. Это бывает, например, при внедрении примесей только в поверхностный слой или при хемосорбции. В плаче изменения поверхностного энергетического состояния хемосорбирозанные частицы принципиально не отличаются от структурных дефектов. Отличие их соо-тоит в том, что при определенных условиях хеыосорбированные частицы могут обмениваться с газовой фазой. [26]
Положение уровня Ферми на поверхности может отличаться от положения в объеме твердого тела вследствие изгиба энергетических зон на поверхности, обусловленного избытком - или недостатком заряда. Это бывает, например, при внедрении примесей только в поверхностный слой или при хемосорбции. В плаче изменения поверхностного энергетического состояния хемосорбйрозанные частицы принципиально не отличаются от структурных дефектов. Отличие их состоит в том, что при определенных условиях хеыооорбированные частицы могут обмениваться с газовой фазой. [27]
Рассмотрим вопрос о том, в каких условиях подобная зависимость должна иметь место. Условимся предварительно, что под сокристаллизацией будем понимать внедрение примеси непосредственно в кристаллическую решетку, а под соосаждением - ее переход в твердую фазу любым путем. [28]
Обычный способ создания такого контакта связан с сильным легированием тонкого полупроводникового слоя, прилегающего к металлу, обеспечивающим уменьшение толщины барьера до 10 нм. При формировании этой тонкой сильно легированной области необходимо предотвратить внедрение компенсирующих примесей или образование дефектов, которые могут уменьшить концентрацию носителей заряда. Таким образом, свойства квазиомических контактов могут существенно зависеть от особенностей метода их изготовления. [30]
Страницы: 1 2 3 4