Внедрение - примесь
Cтраница 4
Следовательно, энергия дислокации тесно связана с кристаллографическими направлениями. Кристаллы с дислокациями являются неравновесными системами и число дислокаций в кристалле определяется кинетическими и механическими факторами. Дислокации могут возникать: 1) при термических напряжениях в кристаллах; 2) при напряжениях, вызванных внедрением примесей в решетку во время роста, или, наоборот, выделением их в микроскопическом количестве; 3) в случае, если растущий кристалл имеет большое количество дырок на поверхности, способных образовывать диски, на границе которых находятся дислокации; 4) при слипании двух кристаллитов со слабым изгибом; 5) при столкновениях ( и срастаниях) кристаллитов. Принципиально существует возможность контролировать число и характер дислокаций, но использование этой возможности в настоящее время ограничивается лишь случаем роста кристаллов из расплава. [46]
Представляет интерес введение небольших количеств примесей ( не более 0 5 %) непосредственно в кристаллическую решетку веществ. В этом случае, как было показано в предшествующем разделе, возможно несколько увеличить гигроскопическую точку и тем самым улучшить физико-химические характеристики продукта. Однако направление, связанное с внедрением примесей в кристаллическую решетку, пока еще мало исследовано и требует дальнейшей разработки. [47]
 |
Расположение зон. [48] |
При небольших количествах примеси, введенной в кристаллическую решетку собственного полупроводника, структура связей в кристалле сохраняется, но связь вблизи примесных атомов нарушается, причем атомы примеси располагаются один от другого на больших расстояниях и взаимодействовать между собой не будут. Однако необходимо учитывать наличие новых уровней в местах внедрения примесей. Из-за малого количества примесных атомов не создается общей зоны, а образуются локальные уровни. [49]
Зависимость концентрации примесей в отмытых кристаллах от содержаниях их в исходном растворе, судя по полученным экспериментальным данным, близка к линейной. Коэффициент захвата К, представляющий собой отношение х / а, остается почти постоянным для каждой группы опытов, характеризующейся неизменностью всех прочих условий кристаллизации, кроме исходного содержания в растворе бихромата калия или азотнокислой меди. Как видно из табл. 1, величина К уменьшается с увеличением начальной температуры кристаллизации. В ней К растет с увеличением исходной температуры в связи с одновременным уменьшением разбавления раствора. Основное отличие данных исследований от предыдущих [ Ч состоит в значительном увеличении скорости кристаллизации азотнокислого калия. Насколько это отличие сказалось на степени внедрения примесей и величине К, видно из табл. 2, в которой сравниваются данные настоящих исследований с данными, описанными в предшествующей работе. Из этой таблицы видно, что с ростом скорости кристаллизации коэффициент захвата бихромата калия уменьшается в 1.5 - 2 раза, а коэффициент захвата азотнокислой меди не изменяется. [50]
Страницы: 1 2 3 4