Толстопленочная схема - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Если вы поможете другу в беде, он непременно вспомнит о вас, когда опять попадет в беду. Законы Мерфи (еще...)

Толстопленочная схема

Cтраница 2


16 Зависимость вязкости стекол от.| Процессы изготовления керамичг ской подложки. [16]

Основными керамическими материалами для подложек тонко - и толстопленочных схем являются керамика на основе окиси алюминия, марки поли-кор и бериллиевая керамика. Последняя обладает хорошими тепловыми свойствами, что делает ее самым приемлемым материалом для мощных схем, однако по прочности она уступает керамике на основе окиси алюминия.  [17]

18 Последовательность изготовления толстопленочных микросхем. [18]

Трафаретная печать является наиболее простым способом получения элементов толстопленочных схем. Она заключается в продавливании вязкого материала через отверстия в сетчатом трафарете для нанесения необходимого рисунка на подложку. В качестве основы для трафарета используют проволочную сетку из нержавеющей стали, натянутую на рамку из алюминия.  [19]

Вследствие химических взаимодействий, которые могут иметь место при изготовлении толстопленочных схем, необходима совместимость функциональных материалов с технологическими процессами.  [20]

Технологическое оборудование, методы и материалы, применяемые при изготовлении толстопленочных схем малого уровня интеграции, оказались пригодными и для производства многослойной коммутации БГИС. Необходимо было дополнительно разработать лишь материалы для изолирующих слоев.  [21]

Конденсаторы повышенной емкости, а также индуктивные катушки и трансформаторы в толстопленочных схемах обычно делают навесными.  [22]

23 Проволочный монтаж [ IMAGE ] Конструкция. [23]

Транзисторы в виде перевернутого кристалла с шариковыми или балочными выводами используют в толстопленочных схемах.  [24]

Отметим, что технология получения многослойной керамики является по существу модификацией технологического процесса изготовления толстопленочных схем. При этом создают многоуровневую коммутацию, что затруднено в классической толстопленочной технологии. Дело в том, что последовательное нанесение неотожженных паст на керамическую подложку через трафареты с последующим единым отжигом невозможно; в условиях же нанесения каждой пасты с последующим вжиганием необходимо обеспечить стабильность состава предыдущих слоев при температурах, равных температурам вжигания последующих слоев.  [25]

Технологический процесс получения тонкопленочных микросборок требует более дорогостоящего оборудования и значительно более сложен, чем процесс изготовления толстопленочных схем.  [26]

ГИМС в зависимости от толщины пленок подразделяют на толстопленочные и тонкопленочные. В толстопленочных схемах ( толщина пленки 10 - 20 мкм) на диэлектрической пластине монтируют бескорпусные активные элементы или кристаллы полупроводниковых интегральных микросхем, а в качестве пассивных элементов и межсоединений используют толстые пленки.  [27]

С точки зрения технологии изготовления БГИС делят на толсго-и тонкопленочные. Пассивные элементы толстопленочных схем и соединения в них изготовляют с помощью трафаретной печати и отжига или путем пиролитического осаждения.  [28]

Таким образом, стоимость прецизионных гибридных схем при серийном производстве зависит в основном от стоимости навесных, дискретных компонентов и затрат на сборку и испытания, а не от стоимости подложки с пленочными элементами схемы. В приборостроительной промышленности тонкопленочные и толстопленочные схемы сравнимы по стоимости.  [29]

Усадка и коробление, сопровождающие обжиг заготовок, обусловливают дополнительную механическую обработку ( шлифование) поверхности подложек. Для уменьшения коробления подложки толстопленочных схем выполняют либо квадратной формы, либо прямоугольной с небольшим отношением длины К ширине. Выпускаемые серийно толсто-пленочные микросхемы имеют размеры подложек 11X11 и 16X20 мм. Групповые керамические подложки не применяют из-за сложности их разрезки.  [30]



Страницы:      1    2    3