Cтраница 3
Интересные ветви микроминиатюризации связаны с тонкопленочными и особенно с толстопленочными схемами. [31]
![]() |
Дериватограмма оксихинолята палладия ( ОХ-CpHgON Pd. [32] |
Выбор стеклофазы 278 - 2 обусловлен, кроме удовлетворения требований химической пассивности по отношению к функциональному материалу в условиях термообработки, стабильностью фазового состава в диапазоне температур 500 - 800 С. Композиционная система со стеклофазой должна быть устойчива к многократным термическим воздействиям, которые характерны при создании многослойных толстопленочных схем. [33]
Элементы толстопленочных микросхем наносятся методом шелкографии. Толстопленочная микросхема выполняется на керамической пластинке - подложке, на которую сначала через сетчатые трафареты наносятся соединительные линии из проводящей пасты. При температуре около 700 С паста вжигается в керамическую подложку. Для изготовления толстопленочных схем кроме проводящей пасты используются резистивные и диэлектрические пасты, которые также обжигаются. Транзисторы и диоды ( бескорпусные или в корпусах) присоединяются к контактным площадкам на подложке микросхемы. [34]
Толстопленочные ИС изготавливают следующим образом. ИС, обкладки конденсаторов, выводы ИС; резис-тивные пасты-проводящий слой резисторов; диэлектрические пасты-пространство между обкладками конденсаторов и общую защиту поверхности готовой ИС. При нанесении каждого слоя пасты применяют свой трафарет, в котором имеются окна в тех местах, куда должна попасть паста данного слоя. После того как паста затвердевает, на заранее отведенные места приклеивают навесные компоненты и соединяют их выводы со специальными контактными площадками. К достоинствам толстопленочных схем следует отнести сравнительную простоту их изготовления и относительно низкую стоимость. [35]