Интегральная полупроводниковая схема

Cтраница 1

Интегральные полупроводниковые схемы, получаемые по пла-нарной технологии, часто называются монолатными. [1]

Интегральные полупроводниковые схемы выполняют трехмерным технологическим методом, основанным на использовании объемных и контактных свойств полупроводниковых материалов при изготовлении как активных элементов ( транзисторов, диодов), так и пассивных ( резисторов, конденсаторов) на поверхности или в объеме полупроводника или диэлектрика. [2]

Первые интегральные полупроводниковые схемы были применены в качестве логических элементов в ЭЦВМ. [3]

В интегральных полупроводниковых схемах элементы совмещены в монолитном кристалле и изготовлены в едином технологическом процессе. Герметизация функциональных блоков в одном корпусе позволяет одновременно защитить от влияния окружающей среды всю совокупность элементов схемы. Небольшое количество контактных соединений по сравнению со схемами на полупроводниковых элементах и более совершенная технология изготовления также обусловливают повышенную надежность. Малая масса твердых интегральных схем обеспечивает стойкость к воздействию вибрационных, ударных и линейных нагрузок, а миниатюрные размеры и небольшое потребление мощности создают предпосылки к дальнейшему повышению надежности путем резервирования. Таким образом, уже при современной технологии изготовления надежность твердых интегральных схем весьма высока и примерно равна надежности одного кремниевого транзистора. [4]

В интегральных полупроводниковых схемах для создания конденсаторов используют барьерную емкость р-п перехода, поэтому технология создания диода и конденсатора одинаковы. Конденсатором иногда служит также МДП-структура. В том и другом случае необходимая величина емкости достигается выбором степени легирования полупроводника и выбором площади диода. [5]

Достигнутый уровень надежности интегральных полупроводниковых схем показывает, что интенсивность их отказов по крайней мере на порядок меньше, чем аналогичных схем на дискретных элементах. [6]

Основа метода - создание интегральных полупроводниковых схем, использующих небольшие кусочки германия или кремния для получения плавных переходов от с о п р от и - влений к индуктивности или емкости. [7]

Для того чтобы совместить достоинства интегральных полупроводниковых схем и малые паразитные связи пленочных схем, проводятся интенсивные разработки в направлении создания интегральных схем, выполненных в монокристаллическпх пленках полупроводника ( например, кремния), осажденных на изолирующих подложках. [8]

Элементной базой машин третьего поколения являются интегральные полупроводниковые схемы. Но более существенным признаком, характеризующим машины третьего поколения, являются развитая структура и возможности этих машин. [9]

Эпитаксиальные методы очень удобны для создания интегральных полупроводниковых схем в одном кристалле с активными элементами. [10]

В основном эти установки пригодны для монтажа интегральных полупроводниковых схем. [11]

Интегральные полупроводниковые диоды ( а, изображение многоэмит-терного транзистора ( б и МОП-транзистора ( в. [12]

Получить индуктивность класси - - ского вида в интегральной полупроводниковой схеме очень трудно, поэтому этот элемент при необходимости изготавливается отдельно. [13]

Такая технология практически исключает паразитные связи между элементами, свойственные интегральным полупроводниковым схемам. [14]

В последнее время в электронной технике нашли применение твердые, или интегральные, полупроводниковые схемы. [15]

Страницы: 1 2 3