Cтраница 3
Так, Диапазон номиналов резисторов в интегральных полупроводниковых схемах снижен ( от сотен ом до десятков килоом), допуск на номинал весьма большой ( от 5 % до 30 %), а стоимость всех компонентов примерно одинакова и определяется стоимостью единицы площади подложки. [31]
Современные системы управления тиристорными преобразователями выполняются на основе полупроводниковых и магнитных элементов. С развитием микроэлектроники широкое применение в СУ находят различные типы гибридных и интегральных полупроводниковых схем. В качестве магнитных элементов преимущественно используются импульсные трансформаторы, применяемые для развязки цепей системы управления и силовой части выпрямителя. [32]
Такими параметрами являются: рассеиваемая мощность - для транзисторов, резисторов, туннельных диодов, интегральных полупроводниковых схем; напряжение - для конденсаторов; прямой ток - для полупроводниковых диодов. [33]
Методы монтажа микроминиатюрных радиоустройств определяются главным образом типом элементов, положенных в основу конструкций модулей и микромодулей. Современные устройства могут быть построены из активных и пассивных элементов, выполненных в виде тонких пленок, из гибридных схем и интегральных полупроводниковых схем. Процесс монтажа предопределяет электромонтажная схема. Ее как правило, разрабатывают отдельно на каждый конструктивно законченный узел - модуль, плату, блок, устройство. [34]
Крайне ограниченный характер имеющихся статистических показателей в России в условиях развивающегося общего кризиса не позволяет давать даже приблизительную достоверную количественную прогнозную оценку состояния российской информатики на ближайшие годы. Что касается качественной оценки, то можно с уверенностью сказать, что основой современной элементной базы компьютерной и телекоммуникационной техники будут новейшие разработки больших интегральных полупроводниковых схем и це-пые функциональные блоки ( например, процессоры), выполняемые на одном кристалле. [35]
ЭВМ снял необходимость использования возможно меньшего числа транзисторов в элементах, поскольку в интегральной схеме транзисторы не менее надежны и не более дороги, чем другие компоненты схемы. Кроме того, трансформатор, как необходимая составная часть первых импульсных триггеров, стал не только нежелательным, но и абсолютно неприемлемым ( на современном этапе развития технологии интегральных полупроводниковых схем) компонентом. [36]
Дискретные конденсаторы как компоненты радиотехнических схем имеют широкий диапазон габаритов, номиналов, допустимых отклонений от номинала, температурного коэффициента емкости, допустимой реактивной мощности, номинального значения напряжения, тангенса угла потерь и сопротивления изоляции. Конденсаторы, так же как и резисторы, широко используются в схемах, выполняемых на дискретных компонентах, в меньшей степени - в гибридных интегральных схемах ( большей частью в линейных) и почти совсем не используются в цифровых интегральных полупроводниковых схемах. В последних они, как правило, являются паразитными компонентами и ухудшают их динамические параметры. [37]
Монокристаллическая пленка позволяет использовать все методы пленарной технологии для получения компонентов. При этом с помощью фотолитографии можно осуществлять травление кремния таким образом, что одия компонент ( транзистор, диод) оказывается полностью изолированным от другого сопротивлением подложки, а соединение элементов осуществляется при помощи металлизации и селективного травления, как и в интегральных полупроводниковых схемах. [38]
В настоящее время системы управления тиристорных преобразователей выполняются на основе полупроводниковых и магнитных элементов. Из последних преимущественно используются импульсные трансформаторы, применяемые для развязки цепей системы управления и силовой части преобразователя. С развитием микроэлектроники широкое применение в СУ находят различные типы гибридных и интегральных полупроводниковых схем. Замена дискретных полупроводниковых элементов ( транзисторов, диодов и др.) интегральными схемами ( ИС), содержащими большое число как активных элементов ( транзисторов, диодов), так и пассивных ( резисторов, конденсаторов, индуктивностей), позволяет получить существенный положительный технико-экономический эффект. Например, использование ИС позволяет улучшить технические характеристики преобразователей, резко сократить массу и габариты СУ, шире унифицировать отдельные функциональные узлы, сократить время разработок, автоматизировать технологические процессы изготовления узлов и блоков. [39]
Следующим этапом развития микроэлектроники являются интегральные схемы на тонких пленках и интегральные полупроводниковые схемы. [40]
На пятом этапе проектирования ИС выбирается физическая структура и определяются параметры активных компонентов. Так как электрические параметры активных компонентов нужны для синтеза и анализа ИС, то основная задача состоит в определениии тех параметров, которые описывают модели активных компонентов, применяемые для синтеза и анализа электрических схем ИС. Кроме статистических характеристик параметров компонентов для дальнейшего повышения точности расчетов ИС необходимо определять степень и характер корреляционных связей между параметрами всех компонентов интегральной полупроводниковой схемы. [41]