Интегральная полупроводниковая схема

Cтраница 2

Логические элементы для данного диапазона скоростей могут быть изготовлены методами гибридной технологии и технологии интегральных полупроводниковых схем. [16]

В целях улучшения технико-экономических показателей, увеличения процента выхода годных микросхем и их унификации были разработаны интегральные полупроводниковые схемы на базовом кристалле. В этих схемах полупроводниковая пластина в результате использования достаточно сложной технологии изоляции окисными карманами оказывается разделенной на отдельные, полностью изолированные друг от друга области, в которых формируются стандартные наборы компонентов. При этом за счет индивидуальной коммутации на поверхности пластины могут быть получены различные модификации схем. [17]

Азидсодержащие светочувствительные композиции находят применение почти во всех производствах, использующих фоторельефы - от флексографических форм до сверхбольших интегральных полупроводниковых схем субмикронного разрешения. Их включают в некоторые рааисты сухого плазменного проявления. [18]

Аз идсо держащие светочувствительные композиции находят применение почти во всех производствах, использующих фоторельефы - от флексографических форм до сверхбольших интегральных полупроводниковых схем субмикронного разрешения. Их включают в некоторые резисты сухого плазменного проявления. [19]

Как в Советском Союзе, так и за рубежом в последние годы ведутся интенсивные работы по изысканию эффективных методов изготовления интегральных полупроводниковых схем. Однако процессы, происходящие в твердых схемах, в настоящее время мало изучены. Полученные разрозненные и зачастую противоречивые данные не позволяют сделать окончательных выводов. [20]

Переходные процессы в транзисторном ключе. [21]

Предположим, что транзисторный ключ построен из дискретных компонентов, а особенности анализа переходных процессов в ключе, выполненном в виде интегральной полупроводниковой схемы, будут оговорены в процессе рассмотрения. Анализ переходных процессов проводится для эквивалентной схемы на рис. 2.8, б, в котором сопротивлением г пренебрегаем. [22]

Таким образом, при производстве больших интегральных схем гибридизация проявляется в том, что пленочной делается многослойная коммутация, соединяющая несколько интегральных полупроводниковых схем. [23]

Третье поколение ЭВМ ( конец 60 - х - начало 70 - х годов) характеризуется появлением в качестве элементной базы процессора интегральных полупроводниковых схем ( вместо отдельных транзисторов), что привело к дальнейшему увеличению скорости до миллиона операций в секунду и памяти до сотен тысяч слов. [24]

Однако, несмотря на очевидные преимущества, схемы RCTL не получили распространения из-за сложности их изготовления, так как создание емкостей в интегральных полупроводниковых схемах является трудной задачей. Конденсаторы, выполненные на основе коротко-замкнутых р - n - переходов, занимают в микросхемах большую площадь и имеют значительный разброс характеристик, что снижает степень интеграции и процент выхода годных ИС в производстве. [25]

Схемы интегральных конденсаторов. о - структура элементов конденсаторов. б - эквивалентные схемы. [26]

Конденсаторы второго типа изготовляют, используя структуру металл - диэлектрик - полупроводник ( МДП), как показано на рис. 2.37. Эта структура наиболее широко применяется в интегральных полупроводниковых схемах, так как совместима с обычными технологическими процессами и не требует многочисленных металлизированных слоев. [27]

Уравнения Хофстайна с успехом используются при расчетах схем, выполненных на дискретных полевых транзисторах, когда подложка всегда может быть непосредственно соединена с истоком. В интегральных полупроводниковых схемах на МДП-транзисторах условие пи0 выполняется не всегда, так как даже при заземлении подложки ее потенциал относительно истока может отличаться от нуля, когда исток не заземлен. [28]

Кремний более широко применяют, чем германий, так как верхний предел рабочей температуры полупроводниковых приборов на основе кремния 130 - 200 С, на основе германия 80 - 100 С. Кремний широко используют также в интегральных полупроводниковых схемах. [29]

Эквивалентные схемы дискретных резисторов. а-полная. 6-упрощенная.| Структура диффузионного. [30]

Страницы: 1 2 3