Cтраница 1
Пассивная пленочная схема создается на диэлектрической подложке, которая позволяет реализовать высокочастотные системы соединений. В отличие от полупроводниковых подложек, удельное сопротивление которых выбирается в основном для создания активных компонентов ( р да Ю2 - 103 Ом см), диэлектрические подложки ( р я Ю14 Ом см) позволяют создавать высокочастотные полосковые линии соединений. [1]
Изготавливают пленочные схемы в многопозиционных вакуумных установках, позволяющих проводить до 6 - 8 напылений различных веществ на несколько подложек в одном цикле вакуумного напыления. Такие установки обычно содержат две вращающиеся карусели, в одной из которых помещены испарители, а в другой - маски и подложки. Объединение нескольких процессов напыления в одном цикле вакуумной откачки позволяет получить высокую производительность и низкую стоимость пленочных схем. [2]
Как самостоятельные пленочные схемы используют очень редко в качестве резисторных или резисторно-емкостных сборок. Чаще всего они служат основой для гибридных интегральных схем. [3]
В пленочных схемах из-за разности коэффициентов линейного расширения возникают напряжения. По мере увеличения количества слоев суммарное напряжение возрастает. Величина адгезии схемы определяется суммой сил отрыва каждого слоя. [4]
В гибридных и пленочных схемах используются пленочные резисторы, получаемые за счет нанесения резистивного вещества на изолирующую подложку. [5]
Общий вид пленочной схемы одного из блоков малогабаритной цифровой управляющей машины, составленной из транзисторов, диодов, сопротивлений и конденсаторов, дан на фиг. [6]
Подложки для пленочных схем должны удовлетворять целому / яду требований, главными из которых являются прочность, хорошие электроизоляционные свойства, оптически полированная поверхность, химическая инертность и стойкость к высоким температурам. [7]
Для изготовления пленочной схемы ( пассивной или активной) необходимы по крайней мере три процесса напыления: низкоомных металлов для образования межкомпонентных соединений и контактных площадок, высокоомных металлов или сплавов для резисторов и диэлектриков для конденсаторов. [8]
Размещение элементов пленочной схемы сначала подробно представляется на топологической карте, в которую включаются размеры, форма и расположение всех элементов. [9]
Для изготовления многослойных пленочных схем при едином технологическом процессе требуются специализированные установки. Такие установки должны обеспечивать полуавтоматическое или автоматическое выполнение всех операций технологического цикла, включая пооперационный контроль после загрузки деталей в вакуумную камеру и установки режимов работы. [10]
Таким образом, пленочная схема непременно сводится к одной молекулярной диффузии. [11]
Фирмой Sylvania выпускаются пленочные схемы на галетах, причем на каждой из них располагается не менее 5 деталей; особенностью галет является, как видно из рис. 15, наличие на периферии разделительной рамки и двенадцати соединительных выступов, выходящих за пределы параметра галеты. Эти рамки имеют различную высоту ( 0 25; 0 75; 1 25 мм и более) в зависимости от высоты элементов схемы. [12]
В настоящее время интегральные пленочные схемы с навесными дискретными активными элементами достаточно хорошо освоены в нашей стране и выпускаются серийно. [13]
Соединение отдельных элементов пленочной схемы друг с другом производится в процессе их изготовления. [14]
Работы по созданию пленочных схем в США проводятся по программе, разработанной командованием военно-морских сил. [15]