Пленочная схема

Cтраница 2

По сравле-нию с гибридными пленочными схемами пленочные ИС не должны содержать навесных элементов и сварных внутрисхемных соединений и поэтому они должны обладать повышенной надежностью и меньшей трудоемкостью шри изготовлении. [16]

Основу гибридной ИМС составляет пленочная схема: пластина диэлектрика, на поверхности которого нанесены в виде пленок толщиной порядка 1 мкм компоненты схемы и межсоединения. Этим способом легко выполнимы пленочные проводниковые соединения, резисторы, конденсаторы. Резисторы больших номиналов выполняют в виде меандра ( рис. 1.17, а), что обеспечивает минимальную площадь, занимаемую элементом. [17]

Основными материалами для изготовления современных пленочных схем являются титан и тантал. Важнейшим их преимуществом является то, что в процессе производства можно управлять их электрическими свойствами. Так, например, в зависимости от состава электролита и режима процесса можно получить титановую пленку, обладающую одним из свойств: металла, полупроводника или диэлектрика. [18]

Пленочными интегральными ( или просто пленочными схемами ПС) называют ИС, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены только в виде пленок. Интегральные схемы подразделяют на тонко - и толстопленочные. Эти схемы могут иметь количественное и качественное различие. К тонкопленочным условно относят ИС с толщиной пленок до 1 -мкм, а к толстопленочным - ИС с толщиной пленок выше 1 мкм. Качественное различие определяется технологией изготовления пленок. [19]

Для защиты полупроводниковых приборов и пленочных схем от воздействия внешней среды наиболее часто применяют напыленную двуокись кремния и стеклообразные пленки. [20]

Заданные режимы технологического процесса создания пленочных схем могут быть автоматически стабилизированы, если ввести обратную связь с испарителем. [21]

В массовом производстве пленочных, особенно интегральных пленочных схем, решающим фактором, обеспечивающим воспроизводимость электрофизических свойств электронных схем, является стабильность режима осаждения. [22]

Методы и средства контроля электрических параметров пленочных схем заимствованы из области производства объемных образцов. [23]

Катодное распыление широко используется для изготовления танталовых пленочных схем. При этом резисторы, конденсаторы и соединительные проводники между элементами выполняются в виде единого рисунка из тантала. Отсутствие других материалов и связанное с этим упрощение технологического процесса, а также высокая стабильность тантала и его соединений обеспечивают высокую надежность микросхем на основе танталовых пленок. [24]

Из каких этапов состоит процесс изготовления многослойных пленочных схем. [25]

Оптимальная конфигурация любого из элементов и всей пленочной схемы в целом определяется такими факторами, как: требуемые выходные параметры схемы, номиналы элементов и допуски на них, требуемая плотность упаковки, свойства материалов пленочных элементов, мощность рассеяния. В зависимости от особенностей схемы и предъявляемых к ней требований, конфигурации и площади элементов могут значительно отличаться друг от друга. [26]

В последнее время все большее применение для подложек пленочных схем находят новые материалы: ситалл и фотоситалл. Си-талл представляет собой стеклокерамический материал, получаемый путем термообработки ( кристаллизации) стекла. По своим свойствам ситалл превосходит исходное стекло. В отличие от большинства высокопрочных тугоплавких кристаллических материалов, он хорошо обрабатывается Его можно прессовать, вытягивать, прокатывать и отливать центробежным способом. [27]

Однако нужно учитывать, что по самой природе пленочных схем в них невозможно получить сосредоточенную емкость. Емкости носят распределенный характер, поэтому задача их точного расчета очень сложна и всегда требует экспериментальной проверки. [28]

Наряду с твердыми схемами следует ожидать широкого применения многослойных пленочных схем, проектирование которых более доступно радиоспециалистам, так как оно имеет много общего с привычными методами разработки радиоаппаратуры. [29]

Пьезоэлектрическая линия задержки. о устройство. б - эквивалент. схема. [30]

Страницы: 1 2 3 4