Изменение - ширина - запрещенная зона
Cтраница 1
Изменение ширины запрещенной зоны означает изменение силы связи электрона с решеткой кристалла, меняющейся от области к области. [1]
Изменение ширины запрещенной зоны при наложении Р обусловлено тем, что смещения дна зоны проводимости с и потолка валентной зоны gB в общем случае различны. [2]
Изменение ширины запрещенной зоны обусловлено тем, что смещается дно зоны проводимости и потолок валентной зоны. При этом необходимо иметь в виду, что смещение Ес и Е может происходить по-разному. [3]
Изменение ширины запрещенной зоны с температурой свя зано с двумя эффектами: термическим расширением решетки и электрон-фононным взаимодействием. [4]
Изменение ширины запрещенной зоны обусловлено тем, что смещается дно зоны проводимости и потолок валентной зоны. При этом необходимо иметь в виду, что смещение Ес и Ev может происходить по-разному. [5]
Изменение ширины запрещенной зоны с температурой происходит по нелинейному закону. [6]
Но изменение ширины запрещенной зоны должно привести к изменению концентрации электронов и дырок. [7]
Коэффициенты изменения ширины запрещенной зоны с давлением определены для InSb, InAs, GaAs, QaSb и GaP. [8]
Этот уникальный характер изменения ширины запрещенной зоны, твердо установленный на опыте, приводит к тому, что в этом соединении путем выбора соответствующего состава сплава мы можем получать любую ширину запрещенной зоны от нуля до ширины запрещенной зоны РЬТе. Соединения с преобладанием РЬТе имеют свойства, близкие свойствам РЬТе, включая положительный температурный коэффициент ширины запрещенной зоны. Как видно из фиг. [9]
 |
Расчет ВАХ фотодиода. а, б - исходные температурная и световая характеристики. в - ВАХ.| ВАХ фотомагнитодиода.| Оптопара с фотом агнитодиодом.| Структура p - i - n фотодиода. [10] |
При механической деформации происходит изменение ширины запрещенной зоны полупроводника и соответственно изменяется высота потенциального барьера р - n перехода. Коэффициент тензочувствительности тензодио-да к всестороннему давлению достигает нескольких сотен. [11]
 |
Дисперсия показателя преломления в твердых растворах Ga Ini xP Asi /, изопериодических InP 1 - уО. 2 - 0 2. 3 - 0 4. 4 - 0 6. 5 - 0 8. 6 - 1 0. [12] |
На рис. 20.44 показано изменение ширины запрещенной зоны твердых растворов GajIni - jPyAsi j, вдоль изопериодических сечений диаграммы составов. Для твердых растворов, изопериодических с GaAs, диапазон изменения ширины запрещенной зоны полностью перекрывается диапазоном изменения ДН7 в тройной системе AUGai As. [13]
Инверсия знака коэффициента, характеризующего изменение ширины запрещенной зоны с давлением в области Р яа 30 000 кг см - 2, [957] также свидетельствует о правильности приведенного выше анализа. [14]
В полуметаллах и узкозонных полупроводниках изменение ширины запрещенной зоны, вызываемое магнитным полем, может быть сравнимо с шириной запрещенной зоны в отсутствие поля Поскольку эффективные массы сильно зависят от расстояния между зонами, они могут оказаться сильно зависящими от поля, что в. Кроме того, спиновое расщецление уровней Ландау становится сравнимым с расстоянием между уровнями. [15]
Страницы: 1 2 3 4