Изменение - ширина - запрещенная зона
Cтраница 3
В тензодиодах используется изменение величины потенциального барьера р - / г-перехода, обусловленное изменением ширины запрещенной зоны при механической деформации. Коэффициент тензочувствительности тензодиода к всестороннему давлению достигает нескольких сотен, а при одноосной деформации он значительно выше. [31]
Если соединения-партнеры, образующие твердый раствор, имеют одинаковый тип зонной структуры, то изменение ширины запрещенной зоны от состава повторяет зависимость Д W ( x) соответственно для материалов с прямой или непрямой структурой энергетических зон. При этом можно получать твердые растворы, для которых зависимость ширины запрещенной зоны от состава имеет минимум. С изменением ширины запрещенной зоны сдвигается край собственного поглощения и спектры краевой люминесценции. [32]
 |
Край собственного поглощения.| Спектр отражения антимонида индия при 7300 К.| Частота фононов, см -, в некоторых соединениях Aingv. [33] |
В твердых растворах край собственного поглощения сдвигается при изменении их состава в соответствии с изменением ширины запрещенной зоны. При х 0 46 край поглощения определяется прямыми, а при х 0 46 непрямыми переходами в экситонное состояние. В области составов, соответствующих прямым переходам, форма края собственного поглощения в твердых растворах аналогична таковой для бинарного компонента с эквивалентной зонной структурой. В области составов, соответствующих непрямым переходам, спектр собственного поглощения твердых растворов при общем подобии непрямому бинарному компоненту обладает характерными особенностями. Кроме переходов с участием фононов, в таких твердых растворах наблюдаются непрямые оптические переходы без участия фононов. При уменьшении х интенсивность бесфононного компонента возрастает. Кроме этого, происходит быстрое ( резонансное) увеличение интенсивности LA-компонентов. [34]
Монотонное изменение подвижности, малая величина эффективной массы электронов ( - 0 05 / п0) и линейный характер изменения ширины запрещенной зоны с составом позволяют предположить, что зонные структуры арсенида индия и сплавов его с теллуридом кадмия вблизи арсенида индия аналогичны. [35]
Однако Чанг и Коэн [739] показали, что такая процедура расчета приводит к значительному расхождению между теоретическими и экспериментальными значениями коэффициентов изменения ширины запрещенной зоны с давлением. [36]
Поскольку ширина запрещенной зоны является энергетическим параметром процесса, с позиций энергетического соответствия муль-типлетной теории следовало бы ожидать прохождения активности через максимум с изменением ширины запрещенной зоны. [37]
К, приведенного на рис. 6.45. Последнее подтверждает тот факт, что по крайней мере для этих критических точек спектр термоотражения определяется главным образом изменением ширины запрещенной зоны, а не возрастанием Г при увеличении температуры. Однако нельзя считать, что сделанное заключение имеет универсальный характер. [38]
Исследование оптических свойств монокристаллов ZrS2, полученных методом транспортных реакций в парах 12, показало наличие непрямых переходов ( область энергий 0 05 - 2 5 эв); ширина запрещенной зоны при 20 С равна 1 68 эв, температурный коэффициент изменения ширины запрещенной зоны равен - 4 2х X 10 - 4 эв / град. [39]
При 0 1 СУСО3 цвет становится красноватым, при у 0 4-красным, при у 0 5 - темно-красным и при г / 0 6 кристаллы становятся непрозрачными. Изменение ширины запрещенной зоны с составом в системе не является линейным, оно напоминает изменение этого параметра в системе кремний-германий. В последней системе, как говорилось выше, зависимость апроксимируется ломаной линией с двумя почти прямолинейными участками. При небольшом добавлении кремния ширина запрещенной зоны резко возрастает, а при изменении от 20 мол. [40]
Как известно, основной параметр цолупроводника - ширина запрещенной зоны соответствует энергии, необходимой для перехода электрона в полупроводнике из связанного ( валентного) состояния в полусвободное, характерное для явлений в полупроводниках. Такое изменение ширины запрещенной зоны соответствует изменению химической связи в веществах с увеличением атомного веса. Химическая связь между атомами ослабляется, должна уменьшаться и энергия, которая требуется для того, чтобы перевести электрон из связанного состояния в состояние проводимости. [41]
 |
Изменение ширины запрещенной зоны при переходе из кристаллического в стеклообразное состояние. [42] |
По этим представлениям, при переходе из кристаллического в аморфное состояние края разрешенных зон размываются ( рис. 2) и эффективная ширина запрещенной зоны сужается. Факт изменения ширины запрещенной зоны был подтвержден измерениями на As2Se3 проводимости, фотопроводимости и края оптического поглощения. [43]
 |
Зависимость температуры.| Зависимость ширины запрещенной зоны AHI В V от температуры плавления. [44] |
Поскольку ширина запрещенной зоны и температура плавления линейно зависят от суммарного порядкового номера, то между первыми двумя характеристиками полупроводников должна существовать также линейная зависимость. На рис. 70 показано изменение ширины запрещенной зоны A111 Bv в зависимости от их температур плавления. Таким образом, чем больше ширина запрещенной зоны, тем выше тем - пература плавления и-наоборот. [45]
Страницы: 1 2 3 4