Изменение - ширина - запрещенная зона
Cтраница 2
 |
Зависимость постоянной решетки а от содержания Si в твердом растворе Ое-Si.| Зависимость ширины запрещенной зоны Д. от содержания Si в твердом растворе. Qe-Si 137 ]. [16] |
Этим и определяется нелинейный ход изменения ширины запрещенной зоны в твердых растворах кремния в германии. Сходство структуры энергетического спектра исходных веществ должно вызывать линейный ход изменения ширины запрещенной зоны при образовании твердых растворов. [17]
 |
Зависимость температуры.| Зависимость ширины запрещенной зоны AHI В V от температуры плавления. [18] |
Строго говоря, закономерный характер изменения ширины запрещенной зоны с ростом суммарного порядкового номера составляющих элементов должен быть только при прямых оптических переходах в зонной структуре энергетического спектра электронов. [19]
Энергия центра линии меняется в соответствии с изменением ширины запрещенной зоны. [20]
Ускоряющее электрическое поле в базе такого транзистора создается за счет изменения ширины запрещенной зоны с координатой, благодаря чему нет необходимости в сильном легировании области базы, примыкающей к эмиттеру. [21]
В тензодиодах используется изменение величины потенциального барьера р-п-перехода, обусловленное изменением ширины запрещенной зоны при механической деформации. Чувствительность тензо-диода к всестороннему давлению достигает нескольких сотен, а при одноосной деформации она значительно выше. [22]
В тензодиодах используется изменение величины потенциального барьера р-п-перехода, обусловленное изменением ширины запрещенной зоны при механической деформации. Чувствительность тензодиода к всестороннему давлению достигает нескольких сотен, а при одноосной деформации она значительно выше. [23]
Важнейшее отличие гетеропереходов от простых р - - переходов связано со скачкобразным изменением ширины запрещенной зоны на границе раздела двух полупроводников. [24]
 |
Кинетика экзоэлектронной эмиссии / и пп-рокоэффициента dPs / dt в процессе фазового перехода в германате свинца. [25] |
В работе [4] при исследовании температурной зависимости собственного оптического поглощения получена аномалия изменения ширины запрещенной зоны в процессе фазового перехода при температуре 175 С. На рис. 2 представлены зависимости пирокоэффициента dPs / dt и интенсивности экзоэлектронной эмиссии / ак функции температуры. Нагрев образца до 200 С приводит к увеличению dPs / dt начиная с 155 С; при rf2 1 75 С пирокоэффициент достигает максимального значения, а при 3 1950С уменьшается до прежней величины. [26]
Проведенные в [977] исследования характеристик туннельных диодов под гидростатическим давлением показали, что изменение ширины запрещенной зоны в направлении непрямых переходов приблизительно одинаково как для вырожденного, так и для невырожденного газа носителей. [27]
При механической деформации высота потенциального барьера p - n - перехода изменяется вследствие изменения ширины запрещенной зоны. Пластическая деформация кристалла ведет к возникновению дислокаций, являющихся центрами генерации-рекомбинации. [28]
 |
Электронные энергетические уровни собственных дефектов в ZnO. [29] |
Считается, что температурная зависимость зазоров между уровнями и краями запрещенной зоны пропорциональна изменению ширины запрещенной зоны с температурой. [30]
Страницы: 1 2 3 4