Адион

Cтраница 2

В соответствии с этим при осаждении металла поверхностная концентрация адионов в середине плоскости кристалла является наибольшей ( рис. 8) и, следовательно, при контроле реакции скоростью поверхностной диффузии реакция переноса заряда фактически протекает равновесно. Поскольку скорость реакции переноса в обратном ( анодном) направлении при данном потенциале пропорциональна локальной поверхностной концентрации адионов, она будет наибольшей в точке, лежащей посредине между двумя растущими ступенями. [16]

Функция потенциальной энергии конечного состояния определяется изменением теплоты адсорбции частично гидратирован-ного адиона с расстоянием. [17]

Отношения потенциальная энергия - расстояние, данные как функции Морзе при а Хц 0 4 ( Деспич и Бокрис. [18]

Кривая АА относится к сольватированному иону, кривая ВВ - к адиону. [19]

Из этого выражения может быть получена временная зависимость перенапряжения при различных концентрациях адионов. [20]

Согласно приближенной теоретической оценки Конуэя и Бок-риса [20], приблизительно 50 % адионов Ag имеет ионный характер. [21]

Если принять в расчет образование адионов, удаленных от растущих ступеней грани А ( эти адионы замедляют равновесие между гранями Л и В), то совпадение наклонов кривых, представленных на рис. 15, будет еще более удовлетворительным. [22]

Обсуждение ограничивается сопоставлением констант скоростей переноса заряда и поверхностной диффузии, а также сопоставлением величин поверхностной концентрации адионов при обратимом потенциале для различных подложек. Имеются сравнительные данные для поверхностей, приготовленных методом предварительного прокаливания в водороде и гелии, предварительно электроосажденных или растворенных, а также для поверхностей, которые частично были покрытыми окисной пленкой. [23]

Зародыш с критическим радиусом гс может стать устойчивым центром кристаллизации лишь по истечении некоторого времени, необходимого для присоединения следующего адиона. [24]

Последнее следует из предположения о том, что задержка происходит в предшествующей стадии ( стадия переноса заряда) и что адионы, согласно принятому допущению, могут диффундировать к участкам роста со скоростью, близкой к скорости подвода из раствора даже в том случае, когда поверхностная концентрация только незначительно превосходит равновесное значение. [25]

Если выделение металла совершается на твердом катоде, то в результате разряда ионов образуются первоначально адатомы ме-тллла ( или его адионы), которые лишь на следующей стадии переходят в решетку твердого металла. [26]

Если выделение металла совершается на твердом катоде, то в результате разряда ионов образуются первоначально адатомы металла ( или его адионы), которые лишь на следующей стадии переходят в решетку твердого металла. [27]

Теоретическое рассмотрение энергетических факторов при электрокристал-лизации металлов показывает [11], что наиболее вероятным процессом является перенос иона на плоскую поверхность с образованием адиона и последующей поверхностной диффузией в виде адиона или адатома к месту встраивания в кристаллическую решетку с окончательным переносом заряда для адиона. [28]

При наложении на электрод с идеально плоской поверхностью некоторого постоянного перенапряжения через двойной слой протекает поток ионов; однако это происходит до тех пор, пока концентрация адионов не достигнет определенной величины. [29]

Поскольку координация адионов с атомами металла подложки зависит от природы кристаллической плоскости, в процессе растворения могут образовываться кристаллические грани различных индексов и с различной прочностью связи с адионами. После выключения тока анодного растворения те плоскости, которые содержат наибольшую концентрацию адионов, должны растворяться быстрее, чем плоскости с меньшей концентрацией адионов; осаждение ионов металла происходит соответственно на плоскостях с меньшей концентрацией адионов. [30]

Страницы: 1 2 3 4