Адион
Cтраница 3
Теоретическое рассмотрение энергетических факторов при электрокристал-лизации металлов показывает [11], что наиболее вероятным процессом является перенос иона на плоскую поверхность с образованием адиона и последующей поверхностной диффузией в виде адиона или адатома к месту встраивания в кристаллическую решетку с окончательным переносом заряда для адиона. [31]
Теоретическое рассмотрение энергетических факторов при электрокристал-лизации металлов показывает [11], что наиболее вероятным процессом является перенос иона на плоскую поверхность с образованием адиона и последующей поверхностной диффузией в виде адиона или адатома к месту встраивания в кристаллическую решетку с окончательным переносом заряда для адиона. [32]
Используя приблизительное постоянство х0 и с0 для объяснения того факта, что величина v0 для электроосажденного электрода имеет значительно большее значение, чем, например, для электрода, закаленного в гелии, допустим, что прочность связи М - Мб ( М6 - адион) больше в случае электроосажденного электрода. Координационное число для атома на грани в первом случае равно восьми, а во втором - девяти. Отсюда следует, что прочность связи адиона на электроосажденном электроде больше, чем на закаленном. Это упрочнение связи при переходе от закаленного к электроосажденному электроду можно оценить приблизительно в 5 ккал / моль. Последнее означает, что концентрация адионов в первом случае больше в 60 раз, а для соответствия экспериментальным данным такое превышение должно быть примерно в 10 раз. [33]
До сих пор еще не ясно, какой из вариантов является наиболее вероятным; все же предпочтение, по-видимому, следует отдать двум последним. Существование адатомов ( или адионов) было доказано рядом независимых методов, которые позволили также определить их концентрацию. Поверхностная диффузия частиц должна играть наибольшую роль в тех случаях, когда участки роста ( дислокации, двумерные зародыши) занимают лишь незначительную долю поверхности. Тогда, вследствие большого расстояния ха, на которое должны переместиться адсорбированные частицы до места их включения в решетку, градиент концентрации Acad / xd, а следовательно, и скорость поверхностной диффузии будут малы. Поверхностная диффузия может оказаться замедленной стадией при электроосаждении металлов. Эти условия реализуются на бездефектных гранях ( или гранях с малым числом дефектов) и в области низких поляризаций ( малые плотности тока), когда число зародышей невелико. [34]
До сих пор еще не ясно, какой из вариантов является наиболее вероятным; все же предпочтение, по-видимому, следует отдать двум последним. Существование адатомов ( или адионов) было доказано рядом независимых методов, которые позволили также определить их концентрацию. Поверхностная диффузия частиц должна играть наибольшую роль в тех случаях, когда участки роста ( дислокации, двухмерные зародыши) занимают лишь незначительную долю поверхности. Тогда, вследствие большого расстояния ха, на которое должны переместиться адсорбированные частицы до места их включения в решетку, градиент концентрации & салс1ха, а следовательно, и скорость поверхностной диффузии будут малы. Поверхностная диффузия может оказаться замедленной стадией при электроосаждении металлов. Эти условия реализуются на бездефектных гранях ( или гранях с малым числом дефектов) и в области низких поляризаций ( малые плотности тока), когда число зародышей невелико. [35]
До сих пор еще не ясно, какой из вариантов является наиболее вероятным; все же предпочтение, по-видимому, следует отдать двум последним. Существование адатомов ( или адионов) было доказано рядом независимых методов, которые позволили также определить их концентрацию. Поверхностная диффузия частиц должна играть наибольшую роль в тех случаях, когда участки роста ( дислокации, двухмерные зародыши) занимают лишь незначительную долю поверхности. Тогда, вследствие большого расстояния Xd, на которое должны переместиться адсорбированные частицы до места их включения в решетку, градиент концентрации Дсадс / я, а следовательно, и скорость поверхностной диффузии будут малы. Поверхностная диффузия может оказаться замедленной стадией при электроосаждении металлов. Эти условия реализуются на бездефектных гранях ( или гранях с малым числом дефектов) и в области низких поляризаций ( малые плотности тока), когда число зародышей невелико. [36]
Справедливость уравнения (6.6) была проверена и подтверждена рядом авторов ( Дж. Следовательно, зародышеобразование определяется поверхностной диффузией адионов. Как было указано выше, адсорбированные ионы, образовавшиеся в подходящих местах на поверхности электрода, приобретают электроны. В этот момент происходит перенос заряда. [37]
Согласно Бокрису и Конвею энергетически наиболее вероятным является перенос иона на плоскость грани с частичной деформацией гидратной оболочки и образованием связи с металлом. Последующая поверхностная диффузия этого адсорбированного иона ( адиона) к местам роста завершается полной дегидратацией и включением в кристаллическую решетку. Торможения, обусловленные действием рассмотренных факторов, сказываются, главным образом, в области небольших отклонений от равновесного потенциала при малых плотностях гока. [38]
Согласно Бокрису и Конвею энергетически наиболее вероятным является перенос иона на плоскость грани с частичной деформацией гидратной оболочки и образованием связи с металлом. Последующая поверхностная диффузия этого адсорбированного иона ( адиона) к местам роста завершается полной дегидратацией и включением в кристаллическую решетку. Торможения, обусловленные действием рассмотренных факторов, сказываются, главным образом, в области небольших отклонений от равновесного потенциала при малых плотностях тока. [39]
При обосновании механизма поверхностной диффузии, согласно Дж. Бокрису, рассматривают различие в степени сольватации адионов на поверхности грани и в месте роста, обусловленное стерическими условиями. При адсорбции на поверхности грани десольватация иона оказывается наименьшей, тогда как адсорбция в месте k ( см. рис. 169) требует значительной десольватации иона и потому может оказаться энергетически невыгодной, В результате разряд будет происходить преимущественно на поверхности грани. В ходе последующей диффузии к месту роста наблюдается постепенная десольватация адиона. [40]
Бо-крису, рассматривают различие в степени сольватации адионов на поверхности грани и в месте роста, обусловленное стерическими условиями. При адсорбции на поверхности грани де-сольватация иона оказывается наименьшей, тогда как адсорбция в месте k ( см. рис. 169) требует значительной десольватации иона и потому может оказаться энергетически невыгодной. [42]
При обосновании механизма поверхностной диффузии, согласно Дж. Бокрису, рассматривают различие в степени сольватации адионов на поверхности грани и в месте роста, обусловленное стерическими условиями. При адсорбции на поверхности грани десольватация иона оказывается наименьшей, тогда как адсорбция в месте k ( см. рис. 169) требует значительной десольватации иона и потому может оказаться энергетически невыгодной, В результате разряд будет происходить преимущественно на поверхности грани. В ходе последующей диффузии к месту роста наблюдается постепенная десольватация адиона. [43]
С ростом степени заполнения поверхности электростатическое отталкивание между адсорбированными ионами начинает играть решающую роль, в результате чего скорость заполнения монослоя резко падает. Этот эффект проявляется тем сильнее, чем выше валентность адиона. [45]
Страницы: 1 2 3 4