Температура - плавление - кристалл
Cтраница 2
К ниже температуры плавления кристалла и на 1 - 5 К выше температуры плавления см-еси веществ. При таком способе обработки на поверхности кристалла не наблюдается механических повреждений и загрязнений, так как составы расплава и кристалла отличаются только соотношением компонентов. При погружении кристалла в расплав в указанных условиях происходит растворение части кристалла. Указанным способом можно обрабатывать кристаллические соединения, образующиеся в системах, диаграмма состояний которых близка приведенной на рис. 89, А, В и С - оксиды металлов, причем А и С могут быть сами соединениями простых оксидов металлов. Тогда диаграмму состояний следует рассматривать как часть общей диаграммы состояний простых оксидов. Кроме кристаллического соединения В в расплаве смеси компонентов А и С могут обрабатываться также и кристаллы А, С. [16]
Относительно же температуры плавления кристаллов можно выказать общие соображения исходя из уравнения ( 2), связывающего в с теплотой и энтропией плавления. Высокую температуру плавле-ия будут иметь кристаллы с сильным взаимодействием между моти-ами или кристаллы, образованные жесткими молекулами с небольшим онформационным разупорядочением после плавления. [17]
Как известно, температура плавления кристалла всегда выше температуры размягчения стекла того же химического состава, полученного расплавлением - этих же кристаллов. Таким образом, при выделении легкоплавкой фазы в виде кристаллов температура размягчения эмали после кристаллизации обязательно повысится. [18]
 |
Ориентация волокна при вытяжке ( в поляризованном свете.| Схема ориентации кристаллических областей при растяжении шейки в поперечном направлении. [19] |
Рекристаллизация обусловлена зависимостью температуры плавления кристаллов от их ориентации относительно направления действия сил. При отсутствии механической нагрузки устойчивость кристаллических областей не зависит от их расположения. При приложении растягивающего усилия, направленного перпендикулярно к этим областям, в полимере возникает напряжение, которое стремится оторвать друг от друга элементы кристаллита, что приводит к снижению температуры плавления. Плавление наступает, как только эта температура достигает температуры образца. [20]
Исходя из зависимостей температуры плавления кристаллов с нулевым производством энтропии от числа складывания цепи и от степени полимеризации, можно вывести общее, удовлетворяющее всем данным уравнение для температуры плавления полиоксиэтилена. Параметры этого уравнения включают свободную энергию поверхности складывания, равную 23 эрг / см2 - значительно более низкую, чем для кристаллов полиэтилена, но сопоставимую с энергией для кристаллов полистирола. Образование водородных связей между соседними концами цепей на поверхности уменьшает ( согласно расчетам) энтальпию поверхности кристаллов из полностью вытянутых цепей на 13 Дж / моль. При складывании цепей водородные связи в значительной степени разрушаются, что приводит к образованию ресниц длиной около 3 мономерных звеньев. [21]
 |
Зависимость между температурой плавления кристаллов и давлением для образца затвердевшего каучука. [22] |
У кристаллических полимеров интервал температуры плавления кристаллов зависит от изменений давления. Вуд, Беккедал и Гибсон [145], например, установили, что кристаллы затвердевшего каучука плавятся при атмосферном давлении при 36 С. С повышением давления до 1170 атм плавление начинается около 70 С. [23]
Классический эффект Гиббса-Томсона связывает температуру плавления кристаллов с их размерами. Такой эффект обусловлен увеличением свободной энергии кристалла, поскольку при уменьшении его размера отношение площади поверхности к объемной доле кристалла становится значительным. [24]
Если облученный материал нагреть выше температуры плавления кристаллов, то он проявляет свойства вулканизованного каучука. [25]
 |
Зависимость линейной скорости кристаллизации v фракций политетраметил - n - силфениленсилоксана различного молекулярного. [26] |
В этом отношении 7ПЛ - температура плавления кристалла и - Г0 - температура, находящаяся примерно на 50 С ниже температуры стеклования. Низкомолекулярные вещества также могут быть представлены этой кривой [265 ], однако при этом максимум скорости кристаллизации расположен при другой приведенной температуре. [27]
Камиде и Тояма [122] экстраполировали температуры плавления отожженных кристаллов из полипропилена молекулярного веса 321 000 по методике, описанной в разд. [28]
Для температур, близких к температуре плавления кристалла, / может уменьшаться до 6 - 10 межатомных расстояний. При очень низких температурах / достигает величины порядка 0 1 см. Характер изменения длины свободного пробега фонона в зависимости от температуры во многом накладывает отпечаток на температурную зависимость теплопроводности. Величина средней длины свободного пробега фонона / определяется главным образом двумя процессами - рассеянием на статических несовершенствах решетки ( например, дефекты) и рассеянием фононов на фононах. [29]
При переходе от CsF к Csl температура плавления кристаллов уменьшается. Объяснить наблюдает мый ход изменения температур плавления. [30]
Страницы: 1 2 3 4