Температура - плавление - кристалл
Cтраница 3
Из этого факта следует, что температуры плавления кристаллов с решеткой халькопирита ( и, по-видимому, их энергии связи) существенно уменьшаются с искажением ковалент-кы. [31]
При переходе от CsF к Csl температура плавления кристаллов уменьшается. [32]
Прк температуре Т, находящейся выше температуры плавления кристаллов А, но ниже температуры плавления кристаллов В, начиная от 100 % А и вплоть до состава х, система однофазна. При более высокой концентрации вещества В ( при той же температуре Т ] начинается частичная кристаллизация его, и в области / / / система уже двухфазна: насыщенный раствор В в А и кристаллы В. Соответствующее явление наблюдается и в области / /, где выделяются кристаллы А. Кривые температур плавления системы ( кривые ликвидуса) выпуклы по отношению к оси состава и пересекаются в точке эвтектики, отвечающей составу ха. [33]
При переходе от CsF к Csl температура плавления кристаллов уменьшается. [34]
Здесь Гпл ( 00) - температура плавления кристалла с плоской поверхностью; Гпл ( р) - температура плавления кристалла с поверхностью, радиус кривизны которой равен р; SL - поверхностное натяжение ( свободная поверхностная энергия) поверхности раздела кристалл / расплав; ps - плотность кристалла. Кроме поверхностной энергии, Темкин включил в рассмотрение кинетические явления на поверхности раздела фаз, которым соответствует линейная зависимость скорости роста от переохлаждения на фронте кристаллизации. V кинетические явления на поверхности раздела фаз - это молекулярные процессы, определяющие, какой должна быть степень отклонения температуры этой поверхности от равновесной, чтобы скорость перехода молекул из расплава в кристалл приобрела данное значение. [35]
При переходе от CsF к Csl температура плавления кристаллов уменьшается. [36]
Температурные характеристики полимеров, за исключением температуры плавления кристаллов, не отвечают фазовому переходу и поэтому лежат в определенном интервале температур. [37]
При некоторой температуре, обычно лежащей ниже температуры плавления кристалла, тепловое движение разрушает молекулярное поле, разбивает комплексы и кристалл лишается своих исключительных свойств. У ферромагнитных тол эта температура носит название точки Кюри; для железа она равна 780 С, для никеля она составляет 356 С. У сегнетовой соли подобная температура достигает 24 С. Замечательно, что исчезновение комплексов в кристалле мало сказывается на его структуре, но оно сопровождается поглощением энергии. [38]
Было сделано предположение, что отмечен-юе понижение температуры плавления кристаллов вызвано одной или совокупностью следующих причин: увеличением свободной поверхноС Т - юй энергии, увеличением поверхностной энтропии или потерей способности к отжигу. Кроме того, возможно, что понижение температу-ш плавления вызывает изменение свободной энтальпии расплава, по-жольку размер галогенированных последовательностей слишком мал 1ля фазового разделения. После плавления и повторной кристаллизации алогенированных образцов достичь исходной степени кристалличности ie удается. Степень кристалличности хлорированных образцов несколь-о выше, чем бронированных, возможно из-за большей степени сокрис -: аллизации ( разд. Температура плавления рекристаллизован - [ ых образцов не запредоливается при концентрации 1 атом галогена на 00 атомов углерода, а непрерывно уменьшается и достигает 118 - 20 С при концентрации 3 5 атома галогена на 100 атомов углерода. Харрисоном и Бэйером [56], не сильно отличаются от приведен -: ых в табл. 10.3 температур плавления статистических сополимеров. [39]
Действительно, при температурах, близких к температуре плавления кристаллов, полиолефины растворяются во многих органических растворителях, особенно в алифатических и ароматических углеводородах и их галоидпроизводных. [40]
Вследствие этого полимеризация облученных кристаллов резко ускоряется вблизи температуры плавления кристаллов, когда создаются условия для сочетания упорядоченности и подвижности, и ее скорость вновь понижается для жидкого мономера из-за нарушения упорядоченности. [42]
При одинаковом изменении потенциальной энергии д ( / температура плавления кристаллов зависит от разности в энтропии д5, причем, чем эта разность меньше, тем выше температура плавления кристаллов, тем сильнее молекулярная связь в кристаллической решетке. Разность в энтропии расплавленного и кристаллического состояний будет тем меньше, чем симметричнее построена макромолекула; в этом случае, чтобы впрыгнуть в кристаллическую решетку, макромолекула не должна значительно менять форму, по сравнению с той, которую она имела в расплавленном ( аморфном) состоянии. Очевидно, что наличие сильно разветвленных боковых групп и их несимметричное расположение вдоль цепи должны мешать макромолекулам принять то правильное расположение, которое характерно для кристаллической решетки. Естественно, что чем менее симметрична структура макромолекулы, тем больше должны быть межмолекулярные силы, чтобы такие молекулы могли впрыгнуть в кристаллическую решетку. [43]
При среднем п 7 в мономерном звене перфторалкилметакрилата температура плавления кристаллов сополимера составляет 8 С. Кристаллы гомополимера перфторалкилметакрилата плавятся при 84 С. [44]
Вид ТМА-кривой для полимера такого рода зависит от соотношения температуры плавления кристаллов и температуры текучести того же полимера в аморфном состоянии. В случае, когда пп TI, результатом плавления является образование вязкоте-кучей жидкости, тогда как при Гцл Тт расплавом оказывается высокоэластическое тело. Это не должно нас удивлять, поскольку плавление представляет собой фазовый переход твердое тело - жидкость, а высокоэластическое и вязкотекучее состояния представляют собой в равной мере структурно-жидкое состояние полимера. [45]
Страницы: 1 2 3 4