Cтраница 1
Температура транзистора может изменяться при изменении окружающей температуры и самопрогреве под действием проходящего через него тока. [1]
![]() |
Температурная компенсация [ IMAGE ] Подача смещения во вход. [2] |
Однако если температура транзисторов в каскаде в рабочих условиях изменяется больше чем на 20 - 30 С, то изменения тока покоя транзисторов при смещении фиксированным напряжением могут выйти за допустимые пределы. [3]
![]() |
Зависимость входных ( а, б и выходных ( в, г характеристик транзисторов в схеме с ОЭ от температуры. [4] |
При увеличении температуры транзистора возрастает максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторном переходе. [5]
С изменением температуры транзистора фактически изменяются все его параметры. Но особенно сильно изменяется обратный ток коллекторного перехода / К0) величина которого определяется тепловой генерацией носителей и возрастает по экспоненте с увеличением температуры. Ориентировочно можно считать, что нулевой ток коллектора / ко при повышении температуры на 10 у германиевых транзисторов удваивается, а у кремниевых - утраивается. [6]
![]() |
Входные характеристики транзисторов. а - т - r - хеме с ОБ, 6 - в схеме с ОЭ. [7] |
При повышении температуры транзистора характеристики смещаются в область меньших входных напряжений и идут более круто. [8]
Зависимость aN от температуры транзисторов типа р-п - р в диапазоне от 20 С до 90 С не является, как правило, монотонной, однако преобладает увеличение aN при увеличении температуры. [9]
Все эти факторы изменяют температуру транзистора. При повышении температуры транзистора возможен выход его из строя и изменение параметров схемы. [10]
Известно, что с увеличением температуры транзистора происходит возрастание коллекторного тока, что при малом или нулевом сопротивлении нагрузки приводит к увеличению мощности, рассеиваемой в транзисторе. [11]
Для уменьшения температурной погрешности логарифмического усилителя температуру транзистора обратной связи поддерживают постоянной путем активного термостатирования. [12]
Необходимо иметь в виду, что изменение температуры транзистора в пределах рабочего диапазона также существенно сказывается на его рабочих свойствах, что может вызвать температурную нестабильность параметров транзисторной аппаратуры. Поэтому при проектировании и эксплуатации следует учитывать влияние температуры на характеристики и параметры транзисторов. [13]
Данные схемы подобраны так, что при изменении температуры транзистора 7 на 1 - 2 С срабатывает реле Р и включает подогреватель, находящийся в аквариуме. [14]
Основные причины, вызывающие наибольший дрейф в транзисторных УПТ-изменение температуры транзистора в рабочих условиях и изменение напряжения источника питания каскада, а в ламповых - изменение напряжения источника анодного питания и изменение напряжения цепи питания накала. [15]