Cтраница 2
Значительные изменения величины / К0 могут происходить при изменении температуры транзистора как за счет изменений температуры окружающей среды, так и за счет собственного нагрева транзистора рассеиваемой в нем электрической мощностью. [16]
Поэтому коэффициент передачи по току определяет усредненную по базе температуру транзистора. [17]
Из выражения ( 3) видно, что с увеличением температуры транзистора линейно возрастает и мощность, отводимая с его поверхности. [18]
Увеличение рассеиваемой в транзисторе мощности в свою очередь приводит к увеличению температуры транзистора. [19]
![]() |
Зависимость мощности, рассеиваемой в транзисторе ( / т, И МОЩНОСТИ, ОТВОДИМОЙ от транзистора ( Ро, от перепада температур между корпусом и окружающей средой. [20] |
Из выражения ( 2 - 4) видно, что с увеличением температуры транзистора линейно возрастает мощность, отводимая с его поверхности. [21]
Для количественной оценки тепловой емкости используют экспериментальные способы, основанные на анализе зависимости температуры транзистора от времени после его выключения. [22]
Какое нужно иметь напряжение база - эмиттер для сохранения неизменного тока коллектора, если температура транзистора повышалась а 40 С. [23]
Для анализа температурных свойств транзисторных каскадов может потребоваться использование статических характеристик при различных значениях температуры транзистора. [25]
![]() |
Схема для снятия выходного семейства характеристик в схеме с общей базой ( р-п - р. [26] |
При снятии характеристик на постоянном токе ( как это иногда делается для электронных ламп) температура транзистора может превысить указанный предел и характеристики не будут соответствовать действительным. [27]
![]() |
Простейшие способы подачи смещения во входную цепь транзистора. [28] |
Ток смещения базы, текущий через Ri, практически определяется величиной Д и напряжением источника питания и не меняется при изменении температуры транзистора, его старении и замене. Поэтому описанный способ называют смещением фиксированным током базы. [29]
![]() |
Простейшие способы подачи смещения во входную цепь транзистора. [30] |