Температура - транзистор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Рассказывать начальнику о своем уме - все равно, что подмигивать женщине в темноте, рассказывать начальнику о его глупости - все равно, что подмигивать мужчине на свету. Законы Мерфи (еще...)

Температура - транзистор

Cтраница 2


Значительные изменения величины / К0 могут происходить при изменении температуры транзистора как за счет изменений температуры окружающей среды, так и за счет собственного нагрева транзистора рассеиваемой в нем электрической мощностью.  [16]

Поэтому коэффициент передачи по току определяет усредненную по базе температуру транзистора.  [17]

Из выражения ( 3) видно, что с увеличением температуры транзистора линейно возрастает и мощность, отводимая с его поверхности.  [18]

Увеличение рассеиваемой в транзисторе мощности в свою очередь приводит к увеличению температуры транзистора.  [19]

20 Зависимость мощности, рассеиваемой в транзисторе ( / т, И МОЩНОСТИ, ОТВОДИМОЙ от транзистора ( Ро, от перепада температур между корпусом и окружающей средой. [20]

Из выражения ( 2 - 4) видно, что с увеличением температуры транзистора линейно возрастает мощность, отводимая с его поверхности.  [21]

Для количественной оценки тепловой емкости используют экспериментальные способы, основанные на анализе зависимости температуры транзистора от времени после его выключения.  [22]

Какое нужно иметь напряжение база - эмиттер для сохранения неизменного тока коллектора, если температура транзистора повышалась а 40 С.  [23]

24 Статические характеристики усиления электронной лампы ( а, биполярного транзистора а схеме с общим эмиттером ( 6 и нолевого транзистора в схеме с общим истоком ( в.| Общее представление усилительного прибора в виде эквивалентного шумящего четырехполюсника. [24]

Для анализа температурных свойств транзисторных каскадов может потребоваться использование статических характеристик при различных значениях температуры транзистора.  [25]

26 Схема для снятия выходного семейства характеристик в схеме с общей базой ( р-п - р. [26]

При снятии характеристик на постоянном токе ( как это иногда делается для электронных ламп) температура транзистора может превысить указанный предел и характеристики не будут соответствовать действительным.  [27]

28 Простейшие способы подачи смещения во входную цепь транзистора. [28]

Ток смещения базы, текущий через Ri, практически определяется величиной Д и напряжением источника питания и не меняется при изменении температуры транзистора, его старении и замене. Поэтому описанный способ называют смещением фиксированным током базы.  [29]

30 Простейшие способы подачи смещения во входную цепь транзистора. [30]



Страницы:      1    2    3    4    5