Температура - транзистор
Cтраница 3
Ток смещения базы, текущий через R, практически определяется величиной R и напряжением источника питания и не меняется при изменении температуры транзистора, его старении и замене. Поэтому описанный способ называют смещением фиксированным током базы. [31]
 |
Временной дрейф остаточного напряжения транзисторов типа П103. [32] |
С этим дрейфом приходится особенно считаться в тех случаях, когда модулятор работает в сравнительно узком диапазоне изменения температуры окружающей среды, или когда приняты специальные меры для стабилизации температуры транзистора модулятора. [33]
 |
Конструкция точечного транзистора.| Этапы изготовления и жоиструкци выращенного транзистора. [34] |
Характерным проявлением такого рода нестабильностей является замедленное установление стационарных значений постоянных токов в цепях транзистора после подачи питания ( сползание рабочей точки в течение единиц-десятков секунд), так называемый 48-часовой эффект, состоящий в медленном обратимом изменении ряда параметров ( в том числе а и / но) после сильного изменения температуры транзистора. [35]
Можно отметить следующие особенности транзисторных генераторов по сравнению с ламповыми: значительное отличие генерируемой частоты от собственной частоты колебательной системы, причем величина расстройки увеличивается с частотой; резкое увеличение влияния емкостей р - п переходов на работу генератора и стабильность частоты, так как эти емкости в сильной степени зависят от режима работы и температуры транзистора. [36]
Таким образом, можно отмстить следующие особенности транзисторных генераторов по сравнению с ламповыми: значительное отличие генерируемой частоты от собственной частоты колебательной системы, причем величина расстройки увеличивается с частотой, резкое увеличение влияния емкостей р-л-переходов на работу генератора и стабильность частоты, так как эти емкости в сильной степени зависят от режима работы и температуры транзистора. [37]
 |
Термостатированный транзисторный модулятор. [38] |
Термостат представляет собой медный цилиндр. Температура транзистора измеряется термистором, расположенным рядом с ним, а нагревательная катушка помещена снаружи. Следящая система, состоящая из термисторного моста - резисторов R5, R6, R7, источника тока и усилителя, управляет нагревателем. [39]
Повышение температуры транзистора вызывает отрыв электронов от атомов кристалла и переход их в зону проводимости. Вследствие этого в каждом полупроводниковом материале с я и р-проводимостью транзистора увеличивается как количество, так и подвижность неосновных носителей тока. Количество основных носителей зависит от концентрации примеси, а изменение температуры влияет на их подвижность. [40]
Значительная зависимость параметров от температуры является принципиальной особенностью транзисторов, обусловленной физическими свойствами полупроводников. Изменение температуры транзистора сопровождается изменением токоа в его цепях. Это объясняется тем, что с ростом температуры увеличивается концентрация неосновных носителей за счет образования новых пар электрон - дырка. Так как на движение неосновных носителей поля р - - переходов оказывают ускоряющее действие, то через эмиттерный и коллекторный переходы увеличатся обратные токи. Зависимость обратного тока коллектора / КбО от температуры имеет важное значение для герма-ниевых транзисторов. Значение этого тока у германиевых транзисторов удваивается при увеличении температуры на 8 - 10 С. [41]
Повышение температуры транзистора вызывает отрыв электронов от атомов кристалла и переход их в зону проводимости. Вследствие этого в каждом полупроводниковом материале с N - и Я-проводимостью транзистора увеличивается как количество, так и подвижность неосновных носителей тока. Количество основных носителей зависит от концентрации примеси, а изменение температуры влияет на их подвижность. [42]
Температурный режим характеризуется максимально допустимой температурой коллекторного перехода, которая для германиевых транзисторов составляет 50 - 100 С, а для кремниевых 125 - 150 С. Увеличение температуры транзистора снижает его усилительные свойства и стабильность работы. [43]
Существенным недостатком транзисторов является зависимость их параметров от температуры. При повышении температуры транзистора увеличивается коллекторный ток за счет возрастания числа неосновных носителей заряда в полупроводнике. При увеличении коллекторного тока на Д / к коллекторное напряжение уменьшается на & UKRR Д / к. Это вызывает смещение рабочей точки на коллекторной ( рис. 5.8) и переходной характеристиках. [44]
Все эти факторы изменяют температуру транзистора. При повышении температуры транзистора возможен выход его из строя и изменение параметров схемы. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5