Cтраница 2
Когда в испытуемом веществе начнутся фазовые изменения, например часть его будет переходить из твердого состояния в жидкое, некоторое количество получаемого извне тепла будет расходоваться на плавление, температура испытуемого вещества не будет повышаться и будет меньше температуры эталона, так-как в последнем никаких изменении в данном интервале температур не происходит. Образуется разница температур, которая фиксируется дифференциальной термопарой; зеркало дифференциального гальванометра поворачивается, световой сигнал начинает двигаться и на термограмме записывается эндотермический эффект. [16]
![]() |
Схематическое выражение процесса нагревания и кипения жидкости. [17] |
При достижении температуры кипения исследуемого алкок-сисилана смещение зайчика простой термопары прекращается ( площадка на кривой 1) и в то же время начинается быстрое движение зайчика дифференциальной термопары вследствие быстро растущей разности температуры между лостоянной температурой кипящего ал коксисилаяа и температурой нагревающегося эталона. [18]
![]() |
Зависимость наблюдаемой температуры плавления Гпл от размера складки мйнокристалла полимера.| Зависимость наблюдаемой температуры плавления от температуры кристаллизации. [19] |
Температуры и теплоты кристаллизации часто определяют с помощью метода дифференциально-термического анализа ( ДТА), принцип которого состоит в подводе ( или отводе) тепла к образцу ( или от образца) с заданной скоростью и в сравнении температуры образца с температурой эталона. [20]
Суд л Р3 - соответственно удельная теплоемкость и масса эталона; Р - масса исследуемой жидкости; Нк - тепловой коэффициент, вычисляемый по формуле ( 53); t0 и tn - начальная и конечная температуры исследуемой жидкости; t - температура нагретого эталона. [21]
К - длина волны исследуемой спектральной линии, см; D - эффективная толщина излучающего слоя, см; с - скорость света, см1сек; апл1зЭТ - отношение квадратов диаметров действующих отверстий осветительной системы при съемках плазмы и эталона ( в наших измерениях ширина щели спектрографа при съемках эталона и плазмы была одинакова); / эт / еПл - отношение интенсив-ностей излучения эталона и плазмы для данной линии; Dx - обратная дисперсия спектрографа, А / мм; S - ширина щели спектрографа при съемке струи и эталона, мк; Y - увеличение оптической системы; Тя - яркоетная температура эталона, К. [22]
![]() |
Внешний вид интерферометра Фабри - Перо ИТ-28. [23] |
Изменение температуры эталона, а также атмосферного давления смещает интерференционные кольца. При фотографической регистрации с большими экспозициями это может привести к уширению инструментального контура. Нетрудно подсчитать, насколько сместится изображение колец при изменении температуры. [24]
Исчезновение нити лампы на этом фоне позволяет утверждать, что если равны монохроматические яркости, то равны и температуры. Так как температура эталона известна, то становится известной и измеряемая температура тела. Так как характеристики фотометрической лампы пирометра должны быть долгое время полностью неизменны, запрещается нагревать ее вольфрамовую нить свыше 1400 С. [25]
![]() |
Схема эталона Фабри и Перо в ра з-резе. [26] |
При исследовании строения спектральных линий с помощью эталона Фабри и Перо пользуются фотографической регистрацией интерференционной картины. Во избежание заметного влияния изменения температуры эталона на интерференционную картину в течение экспозиции кольца изготовляют из материала с малыми коэффициентами термического удлинения. Для эталонов, толщина колец которых не превышает 100 мм, параллельность зеркал удобно регулировать с помощью соответствующих пружин и винтов. [27]
![]() |
Схема установки термографического анализа. [28] |
В этой установке разность температур исследуемого и индифферентного веществ, помещенных в блок из высоколегированной жароупорной стали, измеряют при помощи термопары и регистрируют потенциометром типа КВТ. Одновременно при помощи потенциометра фиксируют температуру эталона. [29]
В опыте одновременно измеряются скорость роста температуры эталона и перепад температуры по толщине исследуемого образца. Далее по известным значениям теплоемкости эталона и образца рассчитываются тепловое сопротивление и коэффициент теплопроводности образца. [30]