Максимальная температура - переход
Cтраница 1
Максимальная температура перехода ( п макс определяется физическими свойствами полупроводникового материала, применяемого для изготовления транзистора. Для полупроводника с большей шириной запрещенной зоны ta макс оказывается больше, чем у полупроводника с меньшей шириной запрещенной зоны, так как концентрация генерируемых теплом носителей заряда становится сравнимой с примесной концентрацией при более высоких температурах. [1]
Максимальная температура перехода Тшкс - важнейший параметр, определяющий большинство предельно допустимых данных и режимов транзистора. Макс устанавливается заводом-изготовителем транзистора с определенным заданным, коэффициентом запаса и определяется либо сопротивлением исходного материала, либо заданной величиной зависимого от температуры напряжения пробоя коллекторного перехода. [2]
Максимальная температура переходов ключа, а также максимальная температура его корпуса определяются свойствами исходного материала, особенностями структуры переходов и конструкции. [3]
Максимальной температурой перехода в сверхпроводящее состояние ( 3 7 К) обладает сплав с - 84 % ( ат. [4]
Определяем максимальную температуру перехода. [5]
Определяем максимальную температуру перехода и требуемую величину общего теплового сопротивления. Обычно в справочных данных на транзистор величина тепловой постоянной времени не указывается, однако, так как усилитель работает на довольно низкой частоте, можно обеспечить достаточно надежную работу схемы, положив при расчете тепловую постоянную времени равной нулю. [6]
Под максимальной температурой перехода следует понимать температуру, при которой транзистор или перестает работать, как усилительный прибор, или выходит из строя. [7]
 |
Нонвариантные реакции в системе Re-V. [8] |
Фаза V032Re068 имеет максимальную температуру Тк перехода в сверхпроводящее состояние. [9]
Тот факт, что максимальная температура перехода сверхпроводника всегда наблюдается вблизи нечетного числа валентных электроиов, а также то, что максимумы и минимумы разделены друг от друга изменением п на единицу, может служить указанием о наличии результирующего спина, отличного от нуля. [10]
Для мощных, транзисторов отличие максимальной температуры перехода от средней, определенной по указанному - выше методу, является еще более резким из-за кумуляции выделяемого тепла в небольших участках коллектора. [11]
Интересным является вопрос об определении максимальной температуры коллекторяого перехода в режиме, когда на него воздействует бесконечная последовательность импульсов мощности с определенным периодом и скважностью. [12]
Температура кристаллизации ( затвердевания) - максимальная температура перехода вещества из жидкого состояния & твердое, сохраняющаяся постоянной в течение короткого времени. Она характеризует степень чистоты продукта. [13]
 |
Прибор для определения температуры кристаллизации. [14] |
Температурой кристаллизации ( затвердевания) называется максимальная температура перехода вещества из жидкого состояния в твердое, сохраняющаяся постоянной в течение короткого времени. Она характеризует степень чистоты продукта. [15]
Страницы: 1 2 3 4