Cтраница 3
Максимально допустимые напряжения ограничиваются пробивными напряжениями соответствующих переходов, максимально допустимые мощность и ток ограничиваются максимальной температурой перехода и тепловым пробоем. На рис. 4.28, а приведено семейство вольт-амперных характеристик с нанесенными на них максимально допустимыми режимами. [31]
При этом через транзистор протекает обратный ток коллектора, максимальное значение / к 0 макс которого соответствует максимальной температуре р-п переходов. [32]
В следующем разделе нами излагается метод преобразования колебаний произвольной формы в эквивалентные прямоугольные импульсы, чтобы, пользуясь кривой изменения теплового импеданса, можно было рассчитать максимальную температуру перехода. [33]
Все перечисленные параметры предельных режимов обусловлены развитием одного из видов пробоя: по напряжению - лавинного, по току - токового или теплового, по мощности - вызванного достижением максимальной температуры перехода. [34]
Поэтому если при одинарных кратковременных импульсах ( Рср-0) условия охлаждения не оказывают заметного влияния на тепловой режим полупроводникового прибора, то при воздействии бесконечной последовательности одинаковых импульсов мощности ( ЯСр0) максимальная температура перехода 01Мако определяется в значительной мере ( в зависимости от относительного значения Яср) и внешними условиями охлаждения. [35]
К числу таких первоочередных параметров следует отнести максимальную постоянную мощность, которую может рассеять транзистор без теплоотвода или со стандартным теплоотводом, максимальные напряжения на коллекторном переходе, максимальную частоту усиления и максимальную температуру перехода. В ряде случаев необходимо знать коэффициент усиления, максимально допустимое напряжение эмиттерного перехода и начальный ток. [36]
Основным фактором, определяющим максимальную мощность, которую можно получить от транзистора, является тепловая прочность p - n - перехода. Она характеризуется максимальной температурой перехода tnMaKC, зависящей от электрических свойств материала транзистора. [37]
Но, поскольку тепловая емкость УПВ мала, перегрузки приведут к более быстрому повышению внутренней температуры прибора по сравнению с большинством других электрических устройств, работающих при тех же перегрузках, таких, как трансформаторы и двигатели. Поэтому целесообразно определить максимальную температуру перехода. [38]
Максимальная температура, достигаемая в переходе при одноразовом переключении транзистора из запертого в открытое состояние, с учетом кумуляции определена выше. В настоящей работе вычисляется максимальная температура перехода при работе транзистора в импульсном режиме произвольной скважности с учетом кумулятивных эффектов. [39]
Для кремниевых транзисторов в металлических корпусах максимальная температура переходов обычно равна 200 С, а для транзисторов в пластмассовых корпусах равна 150 С. В табл. 6.1 приведены некоторые часто применяемые типы мощных транзисторов и указаны их температурные параметры. Зная эти параметры, проектировать теплоотвод просто: зная мощность, которую прибор будет рассеивать в данной схеме, подсчитываем температуру переходов с учетом теплопроводности транзистора, радиатора и максимальной рабочей температуры окружающей транзистор среды. Затем выбираем такой радиатор, чтобы температура переходов была намного ниже указанной изготовителем максимальной. Здесь разумно перестраховаться, так как при температурах, близких к максимальной, транзистор быстро выходит из строя. [40]
В принципе задача теплоотвода состоит в том, чтобы удержать переходы транзисторов или других устройств при температуре, не превышающей указанной для них максимальной рабочей температуры. Для кремниевых транзисторов в металлических корпусах максимальная температура переходов обычно равна 200 С, а для транзисторов в пластмассовых корпусах равна 150 С. В табл. 5.1 приведены некоторые типы мощных транзисторов с указанием их температурных параметров. Проектировать теплоотвод для них просто: зная мощность, которую прибор будет рассеивать в данной схеме, подсчитываем температуру переходов с учетом теплопроводности транзистора, радиатора и максимальной рабочей температуры окружающей транзистор среды. Затем выбираем такой радиатор, чтобы температура переходов была нам - Ного ниже, чем указанная изготовителем максимальная. [41]
При расчете стабилизирующего усилителя важно, что на каждый каскад в состоянии выключено должен быть подан достаточный ток смещения, так чтобы их нулевые коллекторные токи / со при высоких температурах не вызывали нестабильности. Ожидаемое значение / со должно определяться при максимальной температуре перехода в расчете на наиболее плохой транзистор, который должен использоваться в данном каскаде. Рекомендуется затем раз в пять уменьшить этот предполагаемый максимальный ток / со. Будет показано, что для обычных небольших германиевых транзисторов при окружающей температуре 50 С может потребоваться смещение базы в состояние выключено около 0 5 ма, а для обычного мощного Зх-амперного транзистора потребуется около 50 ма. Важно также выбрать такой транзистор, мощность которого соответствовала бы его назначению, ибо чем больше транзистор, тем труднее ограничить его / со при высоких температурах. [42]
В нормальных условиях работы это уравнение имеет, как это показано на фиг. Оно может иметь и одно решение - условие максимальной температуры перехода, которая может быть допущена без тепловой неустойчивости, и, наконец, ни одного решения - условие тепловой неустойчивости. [43]
Мощность, рассеиваемая в режиме отсечки, обычно меньше мощности, рассеиваемой в режиме насыщения. Для того чтобы это было справедливо, при максимальной температуре перехода. [44]
Так КЭаас мало зависит от температуры, Е / ВЫ. С будет наименьшим ( R const) при максимальной температуре перехода транзистора, когда обратный ток насыщения / Бо максимален. [45]