Cтраница 2
В таких режимах важно, чтобы максимальная температура р-п перехода ТпМакс во-время действия перегрузки не превышала предельной температуры ТПр, при. Следовательно, одна из важных задач расчета схемы сводится к тому, чтобы рассчитать допустимую длительность и мощность перегрузки ( они находятся в определенной зависимости), при которых температура р-п переходов не превышает предельной и прибор сохраняет работоспособность после устранения перегрузки. [16]
Этот механизм теплового пробоя позволяет определить максимальную температуру перехода. [17]
Температурой кристаллизации ( затвердевания) называют максимальную температуру перехода вещества из жидкого состояния в твердое, сохраняющуюся постоянной в течение короткого времени. Она характеризует степень чистоты продукта. [18]
Ив сопоставления термо грамм вытекает, что максимальная температура перехода полимерной модификации серы в ромбическую форму составляет: для серы, полученной в среде 30 - 87 С; для серы, полученной в среде НС6 - 10б С; для импортной серы Кристекс - 123 С; для серы, полученной из расплава ромбической серы по технологии ВНЩШСЕРА - П4 С. [19]
Эти и последующие неравенства должны выполняться при максимальной температуре перехода, вызванной действием какого-либо сигнала, чтобы быть уверенными в устойчивости схемы в последующий период, когда транзистор будет остывать. [20]
Величина / к.б. оп определяется из справочника при максимальной температуре перехода; уМин / вых. [21]
![]() |
Форма выходного напряженно. [22] |
Значение обратного тока утечки / ко берется с учетом максимальной температуры р-п перехода транзистора. [23]
Уравнение ( З - l) не дает возможности определить максимальную температуру перехода, когда тепло подводится импульсами, как, например, при повторяющихся интервалах проводимости в схеме выпрямления переменного тока. Использование ( 3 - 1) с применением максимального за время импульса значения Р дает завышенное значение превышения температуры перехода. С другой стороны, применение средней за период величины Р приводит к занижению пиковой температуры перехода. [24]
Третья глава посвящена понятию основных тепловых параметров полупроводниковых приборов - максимальной температуре р-п перехода, тепловых сопротивлений, тепловых постоянных, максимальной мощности - и даны их значения для отечественных типов полупроводниковых приборов. [25]
Максимальная мощность, которая может быть рассеяна транзистором, ограничена двумя факторами: максимальной температурой перехода и температурной стабильностью. [26]
Максимально допустимые напряжения ограничиваются пробивными напряжениями соответствующих переходов, максимально допустимые мощности и ток ограничиваются максимальной температурой перехода и тепловым пробоем. Максимально допустимая мощность транзистора определяется в основном мощностью коллекторного перехода Ркмакс, так как мощность, выделяющаяся в эмиттерном переходе, относительно мала. Величина Ркмакс рассчитывается по формулам ( 2 - 19) или ( 2 - 20) как максимально допустимая мощность полупроводникового диода. На рис. 3 - 15 6 показано семейство статических выходных характеристик транзистора в схеме с ОЭ с нанесенными на них границами максимально допустимых режимов. [27]
Максимально допустимые напряжения ограничиваются пробивными напряжениями соответствующих переходов, максимально допустимые мощности и ток ограничиваются максимальной температурой перехода и тепловым пробоем. Максимально допустимая мощность транзистора определяется в основном мощностью коллекторного перехода Ркмаке, так как мощность, выделяющаяся в эмиттерном переходе, относительно мала. Величина Ркмакс рассчитывается по формулам ( 2 - 19) или ( 2 - 20) как максимально допустимая мощность полупроводникового диода. На рис. 3 - 15 6 показано семейство статических выходных характеристик транзистора в схеме с ОЭ с нанесенными на них границами максимально допустимых режимов. [28]
![]() |
Схема ключа тран-зистора с ОЭ. [29] |
Максимально допустимые напряжения ограничиваются пробивными напряжениями соответствующих переходов, максимально допустимые мощность и ток ограничиваются максимальной температурой перехода и тепловым пробоем. На рис. 4.29 приведено семейство вольт-амперных характеристик с нанесенными на них максимально допустимыми режимами. [30]