Полупроводниковый тензодатчик - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Если вы спокойны, а вокруг вас в панике с криками бегают люди - возможно, вы что-то не поняли... Законы Мерфи (еще...)

Полупроводниковый тензодатчик

Cтраница 3


В качестве примера такого применения полупроводниковых тензодатчиков может служить их использование при прочностных испытаниях элементов конструкции самолетов. Боинг-727 и описывается практическая измерительная схема.  [31]

Высокая тензочувствительность и малые габариты полупроводниковых тензодатчиков позволяют определять с их помощью величины и направления микронапряжений, не поддающиеся измерениям посредством обычных датчиков. Эти же свойства делают возможным применение полупроводниковых тензодатчиков в ряде новых областей.  [32]

33 Зависимость относительного [ IMAGE ] Зависимость изменения относи. [33]

Была проведена оценка температурной зависимости полимерного полупроводникового тензодатчика. Как известно, температурные погрешности измерений из числа перечисленных выше недостатков неорганических полупроводниковых тензодатчиков являются основными, ограничивающими их широкое применение в измерительной технике.  [34]

В последнее время начали широко применяться полупроводниковые тензодатчики, имеющие гораздо большие коэффициенты тензочувствительности ( порядка 100) и высокие выходные сигналы, не требующие для измерения сложной аппаратуры. Но даже по сравнению с приборами на основе неорганических полупроводников тензодатчики из полимерных полупроводников имеют ряд преимуществ, заключающихся в меньшей чувствительности к изменениям температуры, стойкости к радиации, простоте изготовления.  [35]

Наиболее простым и распространенным способом изготовления полупроводниковых тензодатчиков является их непосредственное вырезание из монокристалла полупроводникового материала.  [36]

Одной из ответственных операций при изготовлении полупроводниковых тензодатчиков является создание контакта металл - полупроводник и присоединение выводных проводов.  [37]

Величины допустимых токов, рекомендуемые изготовителями полупроводниковых тензодатчиков, могут быть реализованы при удовлетворительной точности измерений лишь в случае работы датчиков на металлической детали с тонким подслоем клея. Во всех других случаях необходимо работать с меньшими токами, что приводит к снижению чувствительности измерительной схемы.  [38]

39 Схематическая диаграмма батареи конденсаторов и системы изме. [39]

Деформации в медном стержне измеряли двумя полупроводниковыми тензодатчиками сопротивления, расположенными по концам одного диаметра и последовательна соединенными в мостике Уитстона, чтобы исключить любое изгиб-ное возмущение в стержне. Для измерения продольного перемещения в стержне был применен также фотонный датчик.  [40]

Для измерения на вращающихся объектах тможно применять проволочные, фольговые и полупроводниковые тензодатчики, но фольговые датчики имеют преимущества: они допускают значительно большую токовую нагрузку, чем проволочные, из-за большей поверхности охлаждения и позволяют обеспечить более жесткую связь с деформируемой поверхностью. Используемая для датчиков фольга имеет толщину от 1 до Ю-3 мм.  [41]

Технология изготовления играет решающую роль в создании полупроводниковых тензодатчиков с требуемыми электрическими и механическими свойствами, в обеспечении стабильности и повторяемости свойств.  [42]

Лишь в тех редких и нетипичных случаях, когда полупроводниковые тензодатчики работают при весьма малых деформациях, их можно рассматривать ( конечно, при постоянной температуре) как аналогичные обычным проволочным датчикам, во всех же других случаях необходимо учитывать зависимость изменения сопротивления датчика от температуры и деформации, оценивать, какие погрешности могут возникнуть при его применении и какие способы компенсации погрешностей будут наиболее эффективны.  [43]

В настоящее время существует несколько способов изготовления чувствительных элементов полупроводниковых тензодатчиков: вырезание датчиков из полупроводникового монокристалла в виде бруска; выращивание монокристаллов в виде усов посредством конденсации паров; нанесение на некоторые виды подложек тонких пленок со свойствами монокристаллов; получение диффузионным способом датчиков, основанных на использовании р-п-перехода.  [44]

В четвертой главе будут рассмотрены способы учета нелинейности характеристик полупроводниковых тензодатчиков при проектировании измерительных схем, позволяющие практически устранить влияние этих особенностей датчиков на точность измерений.  [45]



Страницы:      1    2    3    4