Cтраница 4
Следует отметить, что нелинейность выходной характеристики моста с полупроводниковыми тензодатчиками может быть частично скомпенсирована путем подбора характеристики преобразователя. [46]
Именно поэтому формулировка требований к измерительной аппаратуре для работы с полупроводниковыми тензодатчиками и разработка принципов построения измерительных схем представляет несомненный интерес. [47]
Таким образом, характеристики А / до / ( е) полупроводниковых тензодатчиков при комнатной температуре принципиально нелинейны. [48]
Все указанные методы учета влияния температуры на результаты измерений с помощью полупроводниковых тензодатчиков применимы при условии, что окружающая температура и температура датчика одинаковы и нагрев датчика за счет протекающего через него тока пренебрежимо мал. Нарушение указанного условия может привести к существенным погрешностям в измерениях и сделать эти измерения недостоверными даже при комнатной температуре. В связи с этим вопросы правильного выбора величины тока, протекающего через датчик, имеют первостепенное значение. [49]
Выше ( § 10) было показано, что при работе полупроводникового тензодатчика на детали из материала с низкой теплопроводностью или при использовании подложек необходимо снижать протекающий через датчик ток или переходить на импульсное питание. Последний способ является предпочтительным, так как позволяет существенно повысить чувствительность измерительной схемы. [50]
Приведенные примеры, конечно, не исчерпывают всех возможных областей применения полупроводниковых тензодатчиков, а имеют целью показать лишь некоторые возможности, открывающиеся при использовании миниатюрных и высокочувствительных полупроводниковых тензодатчиков. [51]
За последнее время в печати появились сообщения о разработке и применении полупроводниковых тензодатчиков [76], обладающих по сравнению с металлическими рядом существенных преимуществ - меньшими размерами и значительно большим ( в 10 - 100 раз) коэффициентом тензочувствительности. При дальнейшем развитии техники полупроводниковых материалов полупроводниковые тензодат-чики, возможно, найдут применение и в устройствах описанного выше типа. [52]
В отличие от проволочных и фольговых тензодатчиков изменение сопротивления при деформации у полупроводниковых тензодатчиков происходит в основном за счет изменения не гео метрических размеров, а удельного сопротивления. [53]