Тензоэффект

Cтраница 1

Тензоэффект в полупроводниках ( германии Ge, кремнии Si, анти юниде индия InSb, фосфиде индия InP, арсениде галлия GaAs, антимониде галлия GaSb) проявляется в том, что давление, приложенное вдоль одной из осей кристалла, вызывает изменение электрической проводимости. Установлено, что тензоэффект - зависит от кристаллографических направлений и типа проводимости. Знак тензоэффекта в полупроводниках л-типа отрицательный, а pi - типа - положительный. [1]

Зависимость ОТНОСИТЕЛЬНОГО изменения сопротивления тензорезнстора, изготовленного на кремнии р-типа, от относительной деформации. [2]

Поэтому тензоэффект в полупроводниках практически безынерционен, что позволяет успешно применять тензорезисторы для измерения как статических деформаций, так и быстроменяющихся динамических. [3]

Знак тензоэффекта в полупроводниках п-типа отрицательный, а в полупроводниках р-типа - положительный. [4]

Проволочный тензорези. [5]

Характеристикой тензоэффекта материала является коэффициент относительной тензочувствитель-ности k K / e [ t где е A. [6]

Характеристикой тензоэффекта материала является коэффициент относительной тензо-чувствительности k, определяемый как отношение изменения сопротивления к изменению длины проводника: keR / ei, где еяД / - относительное изменение сопротивления проводника; 8iA / / / - относительное изменение длины проводника. [7]

Наиболее заметен тензоэффект в таких полупроводниках, как германий Ge, кремний Si, соединения индия In, галлия Ga. Влияют на чувствительность также наличие примесей и температура. [8]

Некоторые разновидности тензопреобразова-телсй. [9]

В практике измерительных преобразований тензоэффект используется в двух направлениях. [10]

Опыт показывает, что тензоэффект проводника происходит не только вследствие изменения его геометрических размеров в процессе деформации ( длины и поперечного сечения), но и в результате изменения удельного электрического сопротивления. [11]

Наковальни Бриджмена.| Устройство для исследования плоско-напряженного состояния в пленках. [12]

Известен также способ исследования тензоэффектов путем закрепления образца на балке, которая подвергается изгибу. Деформация здесь более сложная, чем одноосная. [13]

Наковальни Бриджмена.| Устройство для исследования плоско-напряженного состояния в пленках. [14]

Известен также способ исследования тензоэффектов путем закрепления образца на балке, которая подвергается изгибу. Деформация здесь более сложная, чем одноосная. [15]

Страницы: 1 2 3 4