Тензоэффект
Cтраница 4
В полупроводниках тен-зоэффект связан со значительным изменением удельного сопротивления, при этом знак тензоэффекта определяется типом проводимости полупроводникового материала. [46]
В качестве материала проволочного сопротивления до настоящего времени применяется манганин ( сплав меди, марганца и никеля), эффективность которого при создании тензоэффекта была выявлена исследованиями Лизела и Бриджмена еще в начале нашего века. [47]
 |
Схемы включения тензорезисторов. [48] |
Основа полупроводниковых тензорезисторов - кристалл кремния или германия. Знак тензоэффекта ( при растяжении) в полупроводниках н-типа проводимости отрицательный, а / - типа положительный. Проводимость / - т и па имеют гензорезисторы КГД. [49]
Тензоэффект в полупроводниках ( германии Ge, кремнии Si, анти юниде индия InSb, фосфиде индия InP, арсениде галлия GaAs, антимониде галлия GaSb) проявляется в том, что давление, приложенное вдоль одной из осей кристалла, вызывает изменение электрической проводимости. Установлено, что тензоэффект - зависит от кристаллографических направлений и типа проводимости. Знак тензоэффекта в полупроводниках л-типа отрицательный, а pi - типа - положительный. [50]
В технике измерения неэлектрических величин тензорсзисторы используются в двух вариантах. Первый - использование тензоэффекта проводника, находящегося в состоянии объемного сжатия, когда естественной входной величиной преобразователя является давление окружающего его газа или жидкости. Выходной величиной преобразователя является изменение его активного сопротивления. [51]
 |
Функциональные потенционе-трические датчики. [52] |
Тензорезисторы ( тензометрические датчики) служат для измерения механических напряжений, небольших деформаций, вибрации. Действие тензорезисторов основано на тензоэффекте, заключающемся в изменении активного сопротивления проводниковых и полупроводниковых материалов под воздействием приложенных к ним усилий. [53]
Применяются два метода реализации тензоэффекта при создании манометров сопротивления. Первый метод заключается в использовании тензоэффекта проводника, находящегося в состоянии объемного сжатия, когда естественной входной величиной является давление окружающего газа или жидкости. [54]
В основе работы тензорезисторов лежит явление тензоэффекта, заключающееся в изменении сопротивления проводников и полупроводников при их механической деформации. Относительное изменение сопротивления R P / / S при деформации резистора определяется как s K &. [55]
Одним из удачных способов схемной линеаризации является включение в диагональ питания моста тензорезисторов ( последовательно или параллельно) дополнительного тензорези-стора, наклеиваемого на упругий элемент датчика. При нагружении дополнительный тензорезистор так изменяет напряжение ( или ток) питания моста, что компенсируется изменение его чувствительности и входного сопротивления из-за зависимости тензоэффекта от нагрузки. [56]
Одним из удачных способов схемной линеаризации является включение в диагональ питания моста тензорезисторов ( последовательно или параллельно) дополнительного тензорези-стора, наклеиваемого на упругий элемент датчика. При нагружении допол - нительный тензорезистор так изменяет напряжение ( или ток) питания моста, что компенсируется изменение его чувствительности и входного сопротивления из-за зависимости тензоэффекта от нагрузки. [57]
Тензоэффект в полупроводниках ( германии Ge, кремнии Si, анти юниде индия InSb, фосфиде индия InP, арсениде галлия GaAs, антимониде галлия GaSb) проявляется в том, что давление, приложенное вдоль одной из осей кристалла, вызывает изменение электрической проводимости. Установлено, что тензоэффект - зависит от кристаллографических направлений и типа проводимости. Знак тензоэффекта в полупроводниках л-типа отрицательный, а pi - типа - положительный. [58]
Страницы: 1 2 3 4