Тензоэффект
Cтраница 3
В основе работы тензоре-зисторов лежит явление тензоэффекта, заключающееся в изменении активного сопротивления проводников при их механической деформации. [31]
Принцип действия этих весов основан на тензоэффекте - изменении электрического сопротивления проволочной решетки, наклеенной, на упругий элемент, при деформации его под нагрузкой. По величине электрического сопротивления тензодатчиков, которое изменяется пропорционально воспринимаемой ими нагрузке, представляется возможным определять массу взвешиваемого груза. [32]
Из приведенных выше рассуждений следует, что тензоэффект в полупроводниках зависит от кристаллографических направлений и типа проводимости. [33]
В основе принципа работы тензорези-сторов лежит явление тензоэффекта, заключающееся в изменении электрического сопротивления проводящего материала при его механической деформации. [34]
Принцип действия тензорезистивных преобразователей основан на явлении тензоэффекта, заключающегося в изменении активного сопротивления проводников или полупроводников при их механической деформации. Входная измерительная величина вызывает механическое напряжение и деформацию упругого элемента, на котором жестко закреплен пппродник. Тензосопротивлсппя выполняют в виде проволоки, фольги или тонкопленочных резисторов. Тензорезисторы включают в мостовые схемы, питаемые стабилизированным напряжением. [35]
Принцип действия ПП Сапфир основан на использовании тензоэффекта в полупроводниковом материале. [36]
Тензометрические или электротензорезисторные си-лоизмерители основаны на использовании тензоэффекта, состоящего в изменении электрического сопротивления проволочной ( фольговой, монокристаллической) решетки, наклеенной на упругий элемент, при ее деформации под нагрузкой. [37]
Принцип действия преобразователя Сапфир основан на использовании тензоэффекта в полупроводниковом материале. Под действием измеряемого параметра, преобразованного в усилие, изменяется напряженное состояние тензорезисюров. Изменение сопротивления тензорезисторов, пропорциональное изменению измеряемого параметра, преобразуется с помощью встроенного электронного устройства в электрический выходной сигнал ( 4 - 20 мА) первичного преобразователя. [38]
 |
Принципиальная схема измерительного блока с тензомодулем рычаж-но-мембранного типа.| Принципиальная схема измерительного блока с 1ензомодулем мембранного типа. [39] |
Принцип действия измерительного преобразователя Сапфир основан на использовании тензоэффекта в полупроводниковом материале. Тензорезисторы в виде монокристаллической пленки нанесены на упругий элемент, который претерпевает деформацию при действии измеряемого давления. [40]
Принцип действия омических тензопреобразователей основан на использовании явления тензоэффекта, заключающегося в изменении активного сопротивления преобразователя при его упругой деформации. [41]
Изменение сопротивления преобразователя может происходить не только от тензоэффекта, но и от изменения температуры окружающей среды. Поэтому для увеличения точности функционального преобразования тензосопротив-лениями применяют различные методы температурной компенсации. [42]
Расход подаваемого из загрузочного бункера в ВПМН сыпучего материала определяли методом тензоэффекта, заключающегося в изменении активного сопротивления проводников или полупроводников при их механической деформации. [43]
 |
Манганиновый манометр. [44] |
Манометры сопротивления практически не применимы при давлениях менее 50 МПа из-за относительно низкого тензоэффекта при всестороннем сжатии проводника. [45]
Страницы: 1 2 3 4