Теория - вагнер
Cтраница 2
Прежде всего необходимо определить предельную толщину XQ, выше которой применима теория Вагнера [48], а ниже - теория роста тонких пленок. [16]
Было найдено, что, как и следовало ожидать на основании теории Вагнера, при образовании пленки окислов достаточной толщины в ее поверхностном слое содержится меньше Си64, чем в глубинных слоях. [17]
В предположении, что на границах раздела существует равновесие ( как в теории Вагнера), реакции на поверхностях раздела были сначала описаны без учета адсорбции газа на внешней поверхности защитного слоя и без выяснения деталей механизма. [18]
Как видно, диэлектрическая дисперсия в этих образцах много больше величины, предсказываемой теорией Вагнера для структуры, не имеющей оболочек. [19]
Однако действительная картина диффузионного процесса при реакции в твердых смесях не всегда соответствует теории Вагнера. Встречной диффузии катионов цинка и алюминия при этом не установлено. [20]
Если известны дефекты структуры окисла и его ионные или электронные проводимости, то с помощью теории Вагнера можно оценить константу скорости параболического окисления при высоких температурах. [21]
Необходимо отметить, что константа k в этом уравнении принципиально отличается от константы в аналогичном уравнении теории Вагнера для роста толстых пленок, когда X Уо - Согласно Кабрера и Мотту [45], если слой окисла достигает толщины 2 КН4 см за 104 с, то можно полагать, что он растет в соответствии с теорией формирования толстых пленок; в противном случае пленки растут как тонкие. [22]
Проведенные Шоттки гальваностатические исследования катодного образования зародышей серебра на поверхности тантала и других металлов согласуются с теорией Вагнера. [24]
Аналогичное соотношение можно получить из уравнения ( XX 1.29), подставляя вместо т величину г. В теории Вагнера z представляет собой валентность металла. В нашем рассмотрении т является эффективным зарядом подвижных атомных дефектов, причем эти две величины могут быть не равны друг другу. [25]
 |
Рельеф закристаллизовавшегося участка теплового пробоя. Si ( 111, М600. [26] |
В предположении о том, что возникновение обнаруженных затравочных центров плавления обусловлено явлением теплового пробоя в рамках теории Вагнера была построена физическая модель о развитии канала теплового пробоя в полупроводниковом монокристалле с образованием расплавленной фазы. В рассматриваемом случае появление таких центров следует ожидать в местах максимальных диэлектрических потерь на дефектных областях кристалла с повышенной электропроводностью, являющихся локальными источниками рассеяния энергии внешнего поля. [27]
Можно легко увидеть, что функциональная зависимость уравнений (V.335) - (V.341) хорошо согласуется с уравнениями (V.174) - (V.183) теории Вагнера для простых сферических дисперсных систем. [28]
В табл. V.4 приведено сравнение величин диэлектрической дисперсии ег - еА, полученных из уравнений (V.190) и (V.191) теории Вагнера и уравнений (V.229) и (V.233) теории Ханаи. [29]
Подтверждают ли измерения коэффициента диффузии, выполненные профессором Муром, соответствие между величинами коэффициента К, вычисленного по теории Вагнера и определенного экспериментально. [30]
Страницы: 1 2 3 4