Cтраница 4
Каталитическое действие неорганических полупроводников электронная теория катализа объясняет наличием в них носителей заряда - электронов или положительных дырок. В ряде работ установлена зависимость между числом носителей заряда и величиной хемосорбции3 и связь каталитической активности с шириной запрещенной зоны8 катализаторов-полупроводников. [46]
К настоящему времени основы электронной теории катализа, можно сказать, созданы. Эти основы складываются, с одной стороны, из только что охарактеризованной концепции особого электронного строения и, следовательно, особых свойств переходных элементов, а с другой стороны, из теории полупроводникового катализа. [47]
В соответствии с представлениями электронной теории катализа на полупроводниках [8] хемосорбция газов сопровождается изменением концентрации свободных носителей тока вблизи поверхности, которое обусловлено образованием заряженных форм связи адсорбированных молекул с поверхностью. Это изменение концентрации свободных носителей тока в адсорбентах-кристаллофосфорах может оказать влияние на кинетику послесвечения. [48]
Как известно, основой электронной теории катализа являются свободные и локализованные на поверхностных дефектах электроны и дырки, а их равновесные концентрации тесно связаны с положением уровня Ферми в зонной структуре минерала. Любое воздействие излучения, смещающее уровень Ферми, приводит к изменению адсорбционных свойств и смачивающей способности минерала. [49]