Электронная теория - хемосорбция
Cтраница 1
Электронная теория хемосорбции и катализа, получившая развитие в работах Ф. Ф. Волькенштейна, имеет прямое отношение к пониманию механизма контактной электризации. [1]
Из электронной теории хемосорбции и катализа на полупроводниках [8], лежащей в основе механизма передачи энергии рекомбинации центрам свечения, следует, что процессы адсорбции радикалов, их рекомбинации и десорбции молекул, приводящие к люминесценции, связаны с изменением концентрации свободных носителей тока у поверхности фосфора. [2]
Из электронной теории хемосорбции и катализа а полупроводниках [8], лежащей в основе механизма передачи энергии рекомбинации центрам свечения, следует, что процессы адсорбции радикалов, их рекомбинации и десорбции молекул, приводящие к люминесценции, связаны с изменением концентрации свободных носителей тока у поверхности фосфора. [3]
В рамках электронной теории хемосорбции разработана схема расчета изотерм адсорбции для полупроводника. Схема проиллюстрирована на примере полупроводника с энергетически однородной поверхностью. [4]
В различных вариантах электронной теории хемосорбции, представленных в литературе, в основном рассматриваются крайние случаи химической связи - чисто ионные и ковалентные связи. Они мало характерны для обратимой молекулярной адсорбции на гидратированных в обычных условиях реальных поверхностях полупроводников, а более типичны для сильно дегидратированных поверхностей, содержащих высокую концентрацию вакансионных дефектов. Анализ спектроскопических данных, полученных для достаточно широкого класса полупроводников, показывает, что на ранних стадиях адсорбции на поверхности часто образуются донорно-акцеп-торные, в частности координационные, комплексы типа А 5 Сг - 6 или D-6 С. [5]
В, рамках электронной теории хемосорбции получены выражения для дифференциальных теплот адсорбции нейтральных и заряженных молекул. [6]
Дауденом [ 26.1. В полупроводниковых электронных теориях хемосорбции и катализа исходными являются макроскопические характеристики твердого тела и в первую очередь концентрации электронов и электронных дырок ( выражаемые через положение уровня Ферми) и работа выхода электронов. В противоположность этому, по новой концепции, активация молекул в каталитических реакциях связана с образованием комплексов в результате присоединения к отдельным ионам металла ( реже к анионам) решетки за счет тех же сил, что и связь лигандов в комплексных ионах в растворе или в кристаллической решетке. При таком подходе хемосорбционная связь и активация локальны, а макроскопические электронные свойства играют второстепенную роль. В то же время приобретает большое значение число rf - электронов в оболочке иона металла, играющего роль активного центра, так как это число определяет энергию образования комплексов и пространственное расположение лигандов. [7]
Показано, что в рамках электронной теории хемосорбции можно объяснить существование изотермы Генри, изотермы типа Фрейндлиха и логарифмической изотермы. [8]
При этом он основывался на электронной теории хемосорбции и катализа на полупроводниках Волькенштейна, Хауффе и др. [6, 7] и зонной модели экзоэмиссйи, развитой Бохуном [8] и Нассен-штейном i [9] для ионных кристаллов. Согласно электронной теории хемосорбция и катализ определяются положением уровня Ферми, концентрацией свободных носителей зарядов и работой выхода. Одновременное теоретическое рассмотрение и экспериментальное исследование экзоэмиссйи и других ло-верхностных явлений ( адсорбции, окисления, катализа) представляет несомненный интерес, однако при этом надо основываться, не на зонной модели твердого тела, а на исследовании локальных возбужденных состояний ( активных центров), образованных при участии многообразных форм адсорбированных частиц. [9]
В настоящей работе на основе представлений электронной теории хемосорбции и катализа [8] рассматривается радикалореком-бинационный механизм люминесценции и некоторые следствия, из него вытекающие. Исследуется влияние внешнего поперечного электрического поля на интенсивность кандолюминесценции и показывается, что экспериментально полученные закономерности находятся в качественном согласии с теоретически ожидаемыми. [10]
 |
Возгорание люминесценции, потушенной кислородом, при переходе от кратковре. [11] |
Непрерывное освещение приводит к фотодесорбции, которая в соответствии с электронной теорией хемосорбции в случае акцепторных молекул связана с делокализацией захваченных ранее электронов и увеличением их концентрации. Последнее в свою очередь приводит к увеличению интенсивности люминесценции. [12]
Подобные явления указывают на первостепенную важность структурного фактора, который в электронных теориях хемосорбции на проводниках оказывается отодвинутым на второй план. [13]
В работе одного из авторов [1] на основании статистического рассмотрения в рамках электронной теории хемосорбции получены выражения для концентраций адсорбированных частиц, находящихся в нейтральном и заряженном состояниях. [14]
Во второй части работы проведено термодинамическое рассмотрение теплоты адсорбции также в аспекте электронной теории хемосорбции. Показано, что дифференциальная теплота адсорбции для заряженных молекул адсорбата определяется расстоянием соответствующего поверхностного локального уровня энергии от уровня Ферми. Получено соотношение между теплотой адсорбции и потенциалом поверхности. [15]
Страницы: 1 2 3