Электронная теория - хемосорбция
Cтраница 2
Основные положения изложенного выше механизма были первоначально выдвинуты лишь на основе общих положений электронной теории хемосорбции на полупроводниках и представлений зонной теории люминесцирующих кристаллов. В связи с этим представляет интерес изучение экспериментальных данных, относящихся к рассматриваемому вопросу, и проведение экспериментальных исследований, с помощью которых можно было бы оценить реальность предложенного механизма. [16]
Настоящая работа имеет своей целью выяснение механизма явлений фотоадсорбции и фотодесорбции с точки зрения общих представлений электронной теории хемосорбции. [17]
Авторами была осуществлена работа, имевшая своей целью выяснение механизма этого явления с точки зрения общих представлений электронной теории хемосорбции. [18]
Во-вторых, эта теория отправляется от новейших квантово-механических представлений об электронной структуре твердого тела и от довольно полно разработанной электронной теории хемосорбции. [19]
Таким образом, хемосорбцион-ные и каталитические процессы, которые мы считаем протекающими на поверхности металла, на самом деле протекают часто на поверхности полупроводника ( что неоднократно подчеркивалось рядом авторов, см., например, [1, 2]) и в этом случае могут рассматриваться в рамках электронной теории хемосорбции и катализа на полупроводниках. [20]
Рассмотрим другой крайний случай - химическую адсорбцию, которая предполагает как крайние случаи образование ионных или ковалент-ных поверхностных химических соединений. Электронная теория хемосорбции [1] рассматривает хемосорбированные молекулы как некоторую поверхностную примесь, создающую в энергетическом спектре поверхности свою систему энергетических уровней. Заселенности уровней в условиях равновесия определяются положением уровня Ферми на поверхности. Однако такой чисто статистический подход [1] односторонен, поскольку он ничего не говорит о формах связи адсорбированной частицы с поверхностью и о положении их энергетических уровней в спектре кристалла. Нельзя не согласиться с автором работы [23], что из-за отсутствия сведений о спектре поверхности и его параметрах в настоящее время получены лишь общие сведения о хе-мосорбционной связи. [21]
Полученные результаты были сравнены с выводами Ф. Ф. Волькенштейна и О. Пешева [236], исследовавших на основе электронной теории хемосорбции и катализа на полупроводниках кинетику хемосорбции газов с учетом существования слабой и прочной форм связи адсорбированных частиц с поверхностью. [22]
Волькенштейном и его сотрудниками были разработаны основы электронной теории хемосорбции и катализа на полупроводниках. [23]
Этот этап связан с возникновением нового, молодого, еще далеко не окрепшего направления в люминесценции, которому необходимо еще мужать и развиваться. Однако весьма знаменательно, что уже сейчас некоторым поверхностным явлениям в люминесценции, и особенно явлению адсорбционной радикалолюминесценции, можно дать, как показано в данной книге, современную теоретическую трактовку на основе электронной теории хемосорбции и катализа на полупроводниках. [24]
Однако в процессах электризации диэлектриков более вероятны другие механизмы образования двойных электрических слоев [ 60, с. Возникающий при этом потенциал может быть назван адсорбционным. Электронная теория хемосорбции и катализа, развитая Волькенштейном [61], также подтверждает этот механизм образования двойного электрического слоя и природы контактной электризации. [25]
Обычно связывают активность полупроводниковых катализаторов с их электронным состоянием. Электронная теория хемосорбции и катализа развивается в работах С. [26]
Феноменологическая часть последней в той мере, в какой она не зависит от конкретных аппроксимаций, допущенных при динамическом рассмотрении задачи, естественно, всегда сохранит смысл и значение. Более того, в силу исключительной сложности реального объекта исследования развитие феноменологической ( или полуфеноменологической) теории представляется здесь совершенно необходимым. Напомним, что именно переход к такого рода методам позволил довести электронную теорию хемосорбции на полупроводниках до возможности сопоставления с реальным экспериментом. Однако, как это было и в случае полупроводников, развитию феноменологической теории должен предшествовать корректный квантовомеханический расчет простейших случаев хемосорбции. В задачу таких расчетов должно входить исследование факторов, на которых в дальнейшем будет строиться феноменологическая теория. [27]
 |
Влияние добавок Li, Mg, Fe на работу выхода из NiO. [28] |
Благодаря применявшемуся методу сравнения работы выхода по отношению к одному и тому же вибрирующему золотому электроду [10], изменения контактной разности потенциалов при введении в чистую закись никеля добавок были надежно измерены. В этом случае связь поверхностных электронных свойств с объемными сложнее, чем это обычно принимается в пока весьма несовершенных попытках построения электронной теории хемосорбции и катализа на полупроводниках. Сходные результаты получены для действия тех же и других добавок на ср окиси цинка. В этом случае рентгенографически не удается обнаружить твердых растворов LiaO. Совокупность данных по влиянию добавок инозарядных окислов к окислам двухвалентных металлов позволяет сделать вывод, что действие добавок на поверхностные электронные свойства полупроводниковых окислов нельзя сводить к одному лишь изменению концентрации носителей тока в объеме кристаллов, соответствующему изменению электрохимического потенциала поверхности. [29]
В настоящей книге рассматриваются вопросы, относящиеся к той граничной области физики и химии, которая связывает физические и химические явления, происходящие на поверхности кристаллофосфора. Эти вопросы могут представлять интерес как для физиков, занимающихся люминесценцией, но до сих пор не обращавших внимания на явление адсорбции, так и для химиков, изучающих хемосорбцию, но не интересовавшихся до этого люминесценцией. Чтобы облегчить чтение книги тем и другим, во введении кратко излагаются основные сведения о люминесценции, о поверхностных свойствах твердых тел, а также основные положения электронной теории хемосорбции на полупроводниках. [30]
Страницы: 1 2 3