Cтраница 3
В случае химической адсорбции ( хемосорбции), таким образом, молекулы газа вступают в химическое взаимодействие с атомами ( ионами) твердого тела. Всякий же химический процесс связан с электронными переходами. Участие электронов твердого тела в процессе адсорбции и обусловливает влияние адсорбции газов на люминесценцию, также определяемую электронными процессами в твердом теле. Это обстоятельство позволяет привлечь электронную теорию хемосорбции на полупроводниках для объяснения адсорбционных эффектов в люминесценции. [31]
Следовательно, при заданной концентрации адсорбированных частиц на поверхности положение уровня F данного полупроводника зависит, вообще говоря, от величины V / S, если только V / S L. Равновесная концентрация адсорбированных частиц N зависит от положения уровня Ферми адсорбента. Поэтому при заданных давлении р, температуре Т и концентрации примеси в объеме величина N постоянна лишь до тех пор, пока V / SL. Таким образом, на основании общих представлений электронной теории хемосорбции мы приходим к выводу, что удельная адсорбционная способность полупроводника зависит от степени его дисперсности. [32]
Цепная теория гетерогенного катализа, сформулированная в начале 50 - х годов, к сожалению, не развивается так интенсивно, как другие теории катализа. Между тем многое свидетельствует о ее перспективности. Во-первых, в отличие от других теорий, она исходит из новейших квантовомеханн-ческих представлений об электронной структуре твердого тела и из довольно полно разработанной электронной теории хемосорбции. Она с самого начала является электронофицированной. Во-вторых, она строится на основе широко апробированной теории гетерогенно-гомо-генного катализа, устанавливая, таким образом, связь между различными типами катализа. И, в-третьих, уже первые выводы ее отвечают результатам многих экспериментальных исследований. [33]
Цепная теория гетерогенного катализа, сформулированная в начале 50 - х годов, к сожалению, не развивается так интенсивно, как другие теории катализа. Между тем многое свидетельствует о ее перспективности. Во-первых, в отличие от других теорий, она исходит из новейших квантовомехани-ческих представлений об электронной структуре твердого тела и из довольно полно разработанной электронной теории хемосорбции. Она с самого начала является электронофицированной. Во-вторых, она строится на основе широко апробированной теории гетерогенно-гомо-генного катализа, устанавливая, таким образом, связь между различными типами катализа. И, в-третьих, уже первые выводы ее отвечают результатам многих экспериментальных исследований. [34]
В рамках электронной теории хемосорбции разработана схема расчета изотерм адсорбции для полупроводника. Схема проиллюстрирована на примере полупроводника с энергетически однородной поверхностью. Поскольку последнее является довольно сложным, были рассмотрены различные частные случаи, специализированные по положению уровня Ферми з энергетическом спектре кристалла. Показано, что в рамках электронной теории хемосорбции можно объяснить существование изотермы Генри, логарифмической и типа Фрейндлиха. [35]
Поскольку уровень Ферми - это уровень химического потенциала для электронов, при равновесии он одинаков во всех частях кристалла. В связи с этим все примеси в объеме полупроводника, изменяющие положение уровня Ферми, оказывают влияние на состояние хемосорбционного слоя на его поверхности. В остальном многие из полученных результатов-адекватно передаются обычными в химии понятиями свободных валентностей. Однако свойства этих валентностей и условия равновесия хемосорбционных частиц различного рода, их зависимость от строения и свойства решетки кристалла раскрываются в электронной теории хемосорбции; с иных позиций они оказываются малопонятными. [36]